[发明专利]一种太阳能电池及其制备方法及应用在审
申请号: | 202111662821.8 | 申请日: | 2021-12-31 |
公开(公告)号: | CN114551609A | 公开(公告)日: | 2022-05-27 |
发明(设计)人: | 王子港;张学玲;冯志强;陈奕峰 | 申请(专利权)人: | 天合光能股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L31/068;H01L31/18 |
代理公司: | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人: | 陈小龙 |
地址: | 213031 江苏省常*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 太阳能电池 及其 制备 方法 应用 | ||
1.一种太阳能电池,其特征在于,所述太阳能电池包括N型硅片层,所述N型硅片层正面依次层叠硼结层、氧化铝层和第一氮化硅层,所述N型硅片层背面依次层叠氧化硅层、Poly-Si层和第二氮化硅层;
第一栅线贯通所述第一氮化硅层、氧化铝层和硼结层与所述N型硅片层的正表面接触,所述第一栅线包括依次层叠的第一种子层和第一金属层;
第二栅线贯通所述氧化硅层、Poly-Si层和第二氮化硅层与所述N型硅片层的负表面接触,所述第二栅线包括依次层叠的第二种子层和第二金属层。
2.根据权利要求1所述的太阳能电池,其特征在于,所述N型硅片层的厚度为120~180μm;
优选地,所述硼结层的厚度为0.5~1.2μm;
优选地,所述氧化铝层的厚度为2~15nm;
优选地,所述第一氮化硅层的厚度为70~90nm;
优选地,所述氧化硅层的厚度为1~2nm;
优选地,所述Poly-Si层的厚度为30~250nm;
优选地,所述第二氮化硅层的厚度为70~90nm。
3.根据权利要求1或2所述的太阳能电池,其特征在于,所述第一种子层包括第一金属铂层;
优选地,所述第一金属层包括在所述第一种子层上依次层叠的第一金属镍层、第一金属铜层和第一金属银层;
优选地,所述第一种子层和所述N型硅片层的正表面接触;
优选地,所述第一金属铂层的厚度为1~100nm;
优选地,所述第一金属镍层的厚度为0.5~5μm;
优选地,所述第一金属铜层的厚度为1~20μm;
优选地,所述第一金属银层的厚度为0.2~2μm;
优选地,所述第二种子层包括第二金属铂层;
优选地,所述第二金属层包括在所述第二种子层上依次层叠的第二金属镍层、第二金属铜层和第二金属银层;
优选地,所述第二种子层和所述N型硅片层的负表面接触;
优选地,所述第二金属铂层的厚度为1~100nm;
优选地,所述第二金属镍层的厚度为0.5~5μm;
优选地,所述第二金属铜层的厚度为1~20μm;
优选地,所述第二金属银层的厚度为0.2~2μm。
4.根据权利要求1-3任一项所述的太阳能电池,其特征在于,所述第一栅线的数量≥1;
优选地,所述第二栅线的数量≥1。
5.一种如权利要求1-4任一项所述的太阳能电池的制备方法,其特征在于,所述制备方法包括以下步骤:
在N型硅片层上制绒后硼扩散形成硼结层,去除N型硅片层背面的硼结层后,在N型硅片层背面上依次进行氧化和Poly-Si沉积得到氧化硅层和Poly-Si层,磷扩散后得到第一预处理电池;
去除所述第一预处理电池正面的PSG和Poly饶镀,在硼结层上依次沉积氧化铝层和第一氮化硅层,并在所述Poly-Si层上沉积第二氮化硅层后,得到第二预处理电池;
使用激光在所述第二预处理电池的正面和负面开槽,在开槽区域的硅片表面分别独立地电镀制备第一种子层和第二种子层,在所述第一种子层和第二种子层上分别独立地沉积第一金属层和第二金属层,得到所述太阳能电池。
6.根据权利要求5所述的制备方法,其特征在于,所述制绒为用第一碱性溶液去除所述N型硅片层表面的机械损伤层,继续用第二碱性溶液进行表面腐蚀处理,得到N型硅片层表面的金字塔结构;
优选地,所述第一碱性溶液包括氢氧化钠溶液和/或氢氧化钾溶液;
优选地,所述第一碱性溶液的质量浓度为1.5~2.5%;
优选地,所述机械损伤层的厚度为1.2~1.8μm;
优选地,所述第二碱性溶液包括氢氧化钠溶液和/或氢氧化钾溶液;
优选地,所述第二碱性溶液的质量浓度为2.5~3.5%;
优选地,所述金字塔结构的塔基宽度为1.2~1.8μm。
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