[发明专利]一种易换型高精度晶圆载台

说明书

一种易换型高精度硅晶圆载台，所述载台包括在基座以及通过真空吸附设置在所述基座上的载盘，所述基座和载盘之间通过定位销定位；所述载台内设置至少一个环形的用于吸附所述基座和所述载盘的真空通道。相对于现有技术，载盘上表面采用多孔陶瓷精度高吸附性好。基座和载盘通过真空吸附固定、加工其他尺寸晶圆只需更换对应载盘，而且更换载盘方便。本发明的载盘的载盘真空通道设置均布的主气路和分支气路；每个主气路都连通各自的真空管路。另外，本发明中主气路的深度大于分支气路的深度，在相同的时间内，主气路和分支气路内产生的负压大致相等或者差值变小。吸附过程中，所述载盘位置稳定，精度高。

技术领域

本发明属于硅晶圆加工领域，具体涉及一种易换型高精度硅晶圆载台。

背景技术

晶圆加工属于高精度的加工行业，微小的误差就会对晶圆加工结果有一定的影响，最终影响产品质量。硅晶圆吸盘是激光切割以及其他的工序中用于放置硅晶圆的机构。硅晶圆吸附的稳定以及精度可以影响骑其上晶圆的位置，从而影响晶圆的精度。提高硅晶圆吸盘的精度对于高精度晶圆加工很重要。另外不同尺寸的晶圆需要不同的晶圆吸盘，现有的更换吸盘的结构复杂。

发明内容

本发明提供一种易换型高精度硅晶圆载台。

本发明的目的是以下述方式实现的：

一种易换型高精度硅晶圆载台，所述载台包括在基座以及通过真空吸附设置在所述基座上的载盘，所述基座和载盘之间通过定位销定位；所述载台内设置至少一个环形的用于吸附所述基座和所述载盘的真空通道，所述载台内位于所述真空通道中心区域还设置真空气腔，所述载盘上端设置多孔陶瓷层，所述真空气腔上端与所述多孔陶瓷连通；所述真空通道和所述真空气腔的下端分别通过管道连通设置在基座底部的主真空口和从真空口。

所述载台内设置至少两个同圆心的真空通道，所述真空气腔的截面形状为圆形，所述真空气腔和所述真空通道同轴设置；所述真空通道和所述真空气腔不连通。

所述载盘下表面设置至少一个环形的载盘真空通道，所述载盘下表面位于所述载盘真空通道的中心区域还设置载盘真空气腔；所述载盘下端设置定位孔；所述载盘一体烧结成型；所述载盘上端设置多孔陶瓷层，所述载盘下端为陶瓷主体；所述载盘真空通道和所述载盘真空气腔之间不连通。

所述载盘下表面设置至少2个环形载盘真空通道；所述载盘真空通道之间通过沿着射线方向设置的主气路连通；所述载盘真空通道上沿圆周均布若干主气路；所述主气路将环形的所述载盘真空通道分割成了若干圆弧形状的分支气路；所述主气路的深度大于所述分支气路的深度；所述主气路宽度等于所述分支气路的宽度；所述基座上对应所述主气路的位置设置主真空管路连通所述主真空口；所述基座上对应所述载盘真空气腔的位置设置从真空管道连通所述从真空口。

所述基座上表面对应每个所述载盘真空通道设置对应的环形的基座真空通道，所述主真空管路包括基座内部对应每个所述主气路的位置分别设置的横向真空管道；所述横向真空通道通过纵向真空管道与所述基座真空通道连通；每个所述横向真空管道都连通纵向的总真空管道，总真空管路连通所述主真空口；所述基座上表面位于所述基座真空通道的中心区域还设置基座真空气腔；所述基座真空气腔的位置与所述载盘真空气腔的位置对应；所述基座真空气腔通过从真空管道直通所述从真空口；所述基座上也设置有定位孔。

每个所述横向真空管道和所有的基座真空通道之间都设置有各自的横向真空管道。

所述主气路上靠近所述载盘真空气腔的一端的深度大于远离所述载盘真空气腔的一端的深度；所述分支气路从靠近所述主气路的一端到中间位置，所述分支气路的深度逐渐变小。

所述基座上下表面精度为微米级。

相对于现有技术，载盘上表面采用多孔陶瓷精度高吸附性好。所述真空气腔使得所述多孔陶瓷层保持负压状态，从而吸附其上的晶圆。所述真空通道使得所述基座和载盘之间紧密连接。基座和载盘通过真空吸附固定、加工其他尺寸晶圆只需更换对应载盘，而且更换载盘方便。