[发明专利]可消除浅沟槽凹坑的半导体工艺方法在审
| 申请号： | 202111663779.1 | 申请日： | 2021-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN114334794A | 公开（公告）日： | 2022-04-12 |
| 发明（设计）人： | 李乐;胡林辉;黄永彬;王峰 | 申请（专利权）人： | 上海积塔半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 卢炳琼 |
| 地址： | 201306 上海市浦东新区中国*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 消除 沟槽 半导体 工艺 方法 | ||
1.一种可消除浅沟槽凹坑的半导体工艺方法，其特征在于，包括步骤：
提供衬底，所述衬底包括若干间隔分布的有源区以及位于有源区中间的浅沟槽隔离结构，所述浅沟槽隔离结构的上表面高于有源区的上表面；
于所述有源区内形成阱区；
形成第一厚度的牺牲材料层，所述牺牲材料层覆盖所述有源区及浅沟槽隔离结构，所述牺牲材料层的材质与所述浅沟槽隔离结构的材质相同；
对所述牺牲材料层进行化学机械研磨，以使所述牺牲材料层的厚度消减为第二厚度，第一厚度与第二厚度的差值大于等于400埃；
进行湿法刻蚀去除残余的牺牲材料层，并使得有源区的上表面和浅沟槽隔离结构的上表面相平齐；
于有源区的上表面依次形成栅氧化层和栅极多晶硅层。
2.根据权利要求1所述的半导体工艺方法，其特征在于，所述浅沟槽隔离结构和牺牲材料层的材质均为氧化硅层。
3.根据权利要求2所述的半导体工艺方法，其特征在于，所述浅沟槽隔离结构为化学气相沉积法形成。
4.根据权利要求1-3任一项所述的半导体工艺方法，其特征在于，于所述有源区内形成阱区之前，还包括于所述有源区表面形成保护层的步骤，所述保护层的材质与浅沟槽隔离结构的材质相同；之后在保护层的作用下，对所述有源区进行离子注入及高温退火以形成所述阱区。
5.根据权利要求4所述的半导体工艺方法，其特征在于，形成所述保护层的方法为热氧化法，所述保护层的厚度为100埃-200埃。
6.根据权利要求1所述的半导体工艺方法，其特征在于，所述第一厚度为800埃-1200埃，所述第二厚度为300埃-600埃。
7.根据权利要求6所述的半导体工艺方法，其特征在于，所述第一厚度为1000埃，所述第二厚度为500埃。
8.根据权利要求1所述的半导体工艺方法，其特征在于，形成所述栅氧化层的方法为干氧热氧化法，形成的所述栅氧化层的厚度为200埃-500埃。
9.根据权利要求1所述的半导体工艺方法，其特征在于，形成所述栅极多晶硅层的方法为化学气相沉积法，形成的栅极多晶硅层的厚度为1000埃-2000埃。
10.一种半导体器件，其特征在于，所述半导体器件依权利要求1-9任一项所述的半导体工艺方法制备而成。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
