[发明专利]一种可有效避免碲镉汞红外探测器芯片边角裂纹的方法

权利要求书

1.一种可有效避免碲镉汞红外探测器芯片边角裂纹的方法，其特征是：它包括如下步骤：

S1：对碲镉汞芯片的正面和/或背面进行接近式光刻，使碲镉汞芯片的正面和/或背面周边产生至少一圈边框图形；

S2：将光刻后的碲镉汞芯片通过湿法腐蚀的工艺手段，使步骤S1中的边框图形转移至碲镉汞芯片的正面和/或背面，将碲镉汞芯片正面和/或背面中位于芯片有效成像区域周围的碲镉汞材料进行腐蚀并在边框图形位置形成凹槽；

S3：凹槽腐蚀完毕，清洗后将碲镉汞芯片进行下一步芯片工序。

2.根据权利要求1所述的可有效避免碲镉汞红外探测器芯片边角裂纹的方法，其特征是：所述凹槽的宽度为1μm～200μm。

3.根据权利要求2所述的可有效避免碲镉汞红外探测器芯片边角裂纹的方法，其特征是：所述碲镉汞芯片正面的凹槽深度为1μm～50μm。

4.根据权利要求3所述的可有效避免碲镉汞红外探测器芯片边角裂纹的方法，其特征是：所述碲镉汞芯片正面的凹槽深度为20μm。

5.根据权利要求4所述的可有效避免碲镉汞红外探测器芯片边角裂纹的方法，其特征是：所述碲镉汞芯片背面的凹槽深度为碲镉汞芯片的外延层厚度。

6.根据权利要求5所述的可有效避免碲镉汞红外探测器芯片边角裂纹的方法，其特征是：所述边框图形为矩形或类矩形，与之对应，所述凹槽为矩形凹槽或类矩形凹槽。

7.根据权利要求6所述的可有效避免碲镉汞红外探测器芯片边角裂纹的方法，其特征是：所述类矩形凹槽为在矩形凹槽的四角倒外圆角、倒内圆角、倒直角或倒斜角。

8.根据权利要求6所述的可有效避免碲镉汞红外探测器芯片边角裂纹的方法，其特征是：所述类矩形凹槽为矩形凹槽的边缘为波浪形、矩形轮齿形或锯齿形。