[发明专利]一种三维包覆硅基负极材料及其制备方法在审

专利信息
申请号: 202111666231.2 申请日: 2021-12-31
公开(公告)号: CN114464784A 公开(公告)日: 2022-05-10
发明(设计)人: 唐唯佳;杨乐之;涂飞跃;陈涛;王力;封青阁;覃事彪 申请(专利权)人: 长沙矿冶研究院有限责任公司
主分类号: H01M4/36 分类号: H01M4/36;H01M4/48;H01M4/485;H01M4/583;H01M4/62;H01M10/052;B82Y30/00;B82Y40/00
代理公司: 长沙朕扬知识产权代理事务所(普通合伙) 43213 代理人: 段红玉
地址: 410000 湖南*** 国省代码: 湖南;43
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摘要:
搜索关键词: 一种 三维 包覆硅基 负极 材料 及其 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种三维包覆硅基负极材料,其特征在于,所述负极材料以氧化亚硅为基质,氧化亚硅上依次包覆有硅酸锂包覆层和碳包覆层,碳包覆层外侧负载有碳颗粒和碳纳米管。

2.如权利要求1所述的三维包覆硅基负极材料,其特征在于,所述碳颗粒的形貌包括球状和/或半球状。

3.如权利要求1所述的三维包覆硅基负极材料,其特征在于,所述碳纳米管从碳包覆层中穿插出来,形成三维立体的包覆结构。

4.如权利要求1所述的三维包覆硅基负极材料,其特征在于,所述氧化亚硅基质的硅氧比为0.8-1.5。

5.如权利要求1所述的三维包覆硅基负极材料,其特征在于,所述碳包覆层、碳颗粒和碳纳米管通过控制碳源的种类及其温度沉积条件复合而成。

6.一种三维包覆硅基负极材料的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:

(1)将氧化亚硅原料置于还原性气体中部分还原,冷却洗涤干燥;

(2)将步骤(1)处理的氧化亚硅与锂源混合,烧结处理,得到前驱体A;

(3)通过有机气体,气相沉积法处理前驱体A,在前驱体A表面包覆碳层;

(4)惰性气氛下,分别在900-1250℃下通入甲烷气体,600-800℃下通入乙烯气体,600-800℃下通入乙炔/乙烯混合气体进行反应,冷却过筛,得到三维包覆硅基负极材料。

7.如权利要求6所述的三维包覆硅基负极材料的制备方法,其特征在于,步骤(1)中所述还原性气体为金属蒸汽;所述洗涤采用稀盐酸溶液和去离子水,干燥在真空条件下。

8.如权利要求6所述的三维包覆硅基负极材料的制备方法,其特征在于,步骤(2)所述烧结处理温度为550℃-850℃。

9.如权利要求6所述的三维包覆硅基负极材料的制备方法,其特征在于,步骤(2)中所述锂源为碳酸锂,步骤(3)中所述有机气体为甲烷。

10.如权利要求6所述的三维包覆硅基负极材料的制备方法,其特征在于,步骤(4)中所述甲烷气体的通入流速与惰性气体为1:2-1:0.8,反应时间为1-3h。

11.如权利要求6所述的三维包覆硅基负极材料的制备方法,其特征在于,步骤(4)中所述乙烯气体的通入流速与惰性气体为1:4-1:1,反应时间为0.5-1.5h。

12.如权利要求6所述的三维包覆硅基负极材料的制备方法,其特征在于,步骤(4)中所述乙炔/乙烯混合气体的通入流速与惰性气体为1.2-0.8,反应时间为0.5-1.5h。

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