[发明专利]将半导体层用作浮置栅极并将体半导体衬底用作沟道区的非易失性存储器结构

权利要求书

1.一种非易失性存储器NVM结构，包括：

第一存储器器件，其包括：

第一多晶硅层间电介质，其由体半导体衬底之上的第一绝缘体层上第一半导体层(第一SOI)堆叠之上的隔离层限定，

由所述第一绝缘体层限定的第一隧穿绝缘体，

由所述第一SOI堆叠的所述半导体层限定的第一浮置栅极，以及

在源极区和第一漏极区之间的所述体半导体衬底中限定的第一沟道区。

2.根据权利要求1所述的NVM结构，还包括与所述第一SOI堆叠相邻的间隔物。

3.根据权利要求1所述的NVM结构，还包括：

位于所述第一SOI堆叠之上的所述隔离层之上的第一控制栅极，

位于所述体半导体衬底中的所述源极区之上的所述隔离层之上的擦除栅极，以及

与所述体半导体衬底中的所述第一漏极区耦接的第一位线接触。

4.根据权利要求3所述的NVM结构，还包括与所述第一SOI堆叠相邻的第一选择栅极。

5.根据权利要求4所述的NVM结构，其中所述第一控制栅极、所述擦除栅极和所述第一选择栅极共用至少一个材料层。

6.根据权利要求4所述的NVM结构，其中所述第一控制栅极的部分与所述第一选择栅极的部分合并，形成单个第一选择-控制栅极。

7.根据权利要求3所述的NVM结构，还包括位于所述第一控制栅极和所述第一SOI堆叠之间的氧化物-氮化物-氧化物ONO层。

8.根据权利要求3所述的NVM结构，还包括：

第二存储器器件，其包括：

第二多晶硅层间电介质，其由所述体半导体衬底之上的第二绝缘体层上第二半导体层(第二SOI)堆叠之上的所述隔离层限定，所述第一SOI堆叠和所述第二SOI堆叠彼此电隔离，

由所述第二SOI堆叠的所述第二绝缘体层限定的第二隧穿绝缘体，

由所述第二SOI堆叠的所述第二半导体层限定的第二浮置栅极，以及

在所述源极区和第二漏极区之间的所述体半导体衬底中限定的第二沟道区。

9.根据权利要求8所述的NVM结构，还包括：

位于所述第二SOI堆叠之上的第二控制栅极，以及

与所述体半导体衬底中的所述第二漏极区耦接的第二位线接触。

10.根据权利要求9所述的NVM结构，还包括与所述第一SOI堆叠相邻的第一选择栅极和与所述第二SOI堆叠相邻的第二选择栅极。

11.根据权利要求10所述的NVM结构，其中所述第一控制栅极、所述第二控制栅极、所述擦除栅极、所述第一选择栅极和所述第二选择栅极共用至少一个材料层。

12.根据权利要求10所述的NVM结构，其中所述第一控制栅极的部分与所述第一选择栅极的部分合并，形成单个第一选择-控制栅极，并且其中所述第二控制栅极的部分与所述第二选择栅极的部分合并，形成单个第二选择-控制栅极。

13.根据权利要求9所述的NVM结构，还包括位于所述第一控制栅极和所述第一SOI堆叠之间以及位于所述第二控制栅极和所述第二SOI堆叠之间的氧化物-氮化物-氧化物ONO层。

14.根据权利要求8所述的NVM结构，还包括与所述第一SOI堆叠和所述第二SOI堆叠中的至少一个相邻的间隔物。