[发明专利]多级沟槽肖特基二极管及其制作方法

权利要求书

1.一种多级沟槽肖特基二极管，其特征在于，包括：

外延片，所述外延片包括半导体基底以及位于所述半导体基底表面上的外延层；

设置在所述外延层背离所述半导体基底一侧的深沟槽；所述深沟槽包括在第一方向上依次排布的多个子沟槽；所述第一方向为所述深沟槽的开口指向底部的方向；相邻的两个子沟槽中，靠近所述深沟槽底部的子沟槽的宽度小于远离所述深沟槽底部的子沟槽的宽度；

所述深沟槽的侧壁以及底部具有掺杂层；

所述外延层背离所述半导体基底一侧表面内具有包围所述深沟槽开口的电场缓冲区，所述电场缓冲区与所述掺杂层接触；

位于所述半导体基底背离所述外延层一侧的阴极；

位于所述深沟槽内的填充结构以及阳极，所述填充结构位于所述阳极与所述深沟槽的底部之间；

其中，所述掺杂层以及所述电场缓冲区均是与所述外延层反型掺杂。

2.根据权利要求1所述的多级沟槽肖特基二极管，其特征在于，在所述第一方向上，所述深沟槽包括：第一部分深沟槽和第二部分深沟槽；

所述阳极填充所述第一部分深沟槽，与所述第一部分沟槽的侧壁欧姆接触；

所述填充结构填充所述第二部分深沟槽。

3.根据权利要求2所述的多级沟槽肖特基二极管，其特征在于，所述深沟槽具有n个所述子沟槽，n为大于1的正整数；

在所述第一方向上，所述第一部分深沟槽至少包括前n-1个子沟槽。

4.根据权利要求3所述的多级沟槽肖特基二极管，其特征在于，在所述第一方向上，所述第一部分深沟槽还包括部分第n个子沟槽。

5.根据权利要求2所述的多级沟槽肖特基二极管，其特征在于，所述填充结构为绝缘介质填充结构。

6.根据权利要求2所述的多级沟槽肖特基二极管，其特征在于，所述填充结构包括：

绝缘介质层，所述绝缘介质层覆盖所述第一部分深沟槽的侧壁以及底部；

多晶硅填充结构，所述多晶硅填充结构填充所述绝缘介质层之间的间隙。

7.根据权利要求1所述的多级沟槽肖特基二极管，其特征在于，所述掺杂层位于所述深沟槽底部的部分厚度最大。

8.根据权利要求1所述的多级沟槽肖特基二极管，其特征在于，所述掺杂层为位于所述深沟槽的侧壁表面内以及底部表面内的离子注入层。

9.一种如权利要求1-8任一项所述多级沟槽肖特基二极管的制作方法，其特征在于，包括：

提供一种外延片，所述外延片包括半导体基底以及位于所述半导体基底表面上的外延层；

在所述外延层背离所述半导体基底一侧形成深沟槽；所述深沟槽包括在第一方向上依次排布的多个子沟槽；所述第一方向为所述深沟槽的开口指向底部的方向；相邻的两个子沟槽中，靠近所述深沟槽底部的子沟槽的宽度小于远离所述深沟槽底部的子沟槽的宽度；

在所述深沟槽内形成沟槽结构，所述沟槽结构包括：位于所述深沟槽的侧壁以及底部的掺杂层；位于所述深沟槽内的填充结构以及阳极，所述填充结构位于所述阳极与所述深沟槽的底部之间；

在所述半导体基底背离所述外延层一侧形成阴极；

其中，所述外延层背离所述半导体基底一侧表面内具有包围所述深沟槽开口的电场缓冲区，所述电场缓冲区与所述掺杂层接触，所述掺杂层以及所述电场缓冲区均是与所述外延层反型掺杂。