[发明专利]用于多次加料直拉单晶工艺的加料装置、方法

权利要求书

1.一种用于多次加料直拉单晶工艺的加料装置，其特征在于，具有加料筒，所述加料筒具有相对设置的进料端以及出料端；

所述加料筒的侧壁上设有第一气孔，所述第一气孔具有进气口以及出气口，所述进气口位于所述加料筒的外壁，所述出气口位于所述加料筒的内壁，所述第一气孔用于自所述加料筒的外部向所述加料筒的内部吹送气体，所述第一气孔的出气口的出气方向偏向所述进料端；和/或，所述加料装置还包括连接杆以及底锥机构，所述连接杆穿设于所述加料筒，所述连接杆具有相对设置的第一端及第二端，所述第一端用于连接于单晶炉的重锤装置，所述底锥机构具有锥面端，所述连接杆的第二端连接于所述锥面端的顶部，所述加料筒的出料端抵接于所述底锥机构的锥面端，所述加料筒的内壁、所述锥面端和所述连接杆之间形成供物料存放的存料空间，所述底锥机构设有第二气孔，所述第二气孔贯穿所述底锥机构，所述第二气孔的出气口位于所述锥面端，且所述第二气孔的出气口的出气方向朝向所述进料端。

2.如权利要求1所述的用于多次加料直拉单晶工艺的加料装置，其特征在于，所述第一气孔包括第一气道以及第二气道，所述第一气道具有所述进气口，所述第二气道具有所述出气口，所述第一气道和所述第二气道连通，所述第一气道和所述第二气道呈夹角设置，构成V字型结构。

3.如权利要求2所述的用于多次加料直拉单晶工艺的加料装置，其特征在于，所述第一气道和所述第二气道的夹角为30°～150°。

4.如权利要求1所述的用于多次加料直拉单晶工艺的加料装置，其特征在于，所述第一气孔的数量有多个。

5.如权利要求4所述的用于多次加料直拉单晶工艺的加料装置，其特征在于，所述第一气孔分为多组，多组所述第一气孔分布在与所述进料端不同距离的多个区域上，各组所述第一气孔沿所述加料筒的周向分布。

6.如权利要求5所述的用于多次加料直拉单晶工艺的加料装置，其特征在于，所述第一气孔分为2组～6组；和/或

每组所述第一气孔的数量有2个～6个。

7.如权利要求1所述的用于多次加料直拉单晶工艺的加料装置，其特征在于，所述第一气孔的孔径为5mm～20mm。

8.如权利要求1所述的用于多次加料直拉单晶工艺的加料装置，其特征在于，所述加料筒为石英材质。

9.如权利要求1～8中任一项所述的用于多次加料直拉单晶工艺的加料装置，其特征在于，所述加料装置还包括第一吹气机构，所述第一吹气机构连通于所述第一气孔的进气口，以用于通过所述第一气孔向所述加料筒内吹送气体。

10.一种多次加料直拉单晶工艺中添加硅料的方法，其特征在于，包括以下步骤：

使用加料装置进行加料，所述加料装置具有加料筒，所述加料筒具有相对设置的进料端以及出料端，自所述加料筒的进料端加入硅料，在加入硅料的同时，从所述加料筒中向所述进料端吹送气体。