[发明专利]一种反高斯型传能光纤及其应用

权利要求书

1.一种反高斯型传能光纤，其特征在于，包括多个同心嵌套的独立传输波导结构；每一所述波导结构包括较内层和较外层，所述较内层的折射率大于所述较外层；所述较内层的径向折射率分布存在凹陷；光功率分布于所述波导结构的较内层，形成反高斯光；

对于每一波导结构，其较内层折射率凹陷最低点与其较内层折射率最高点的相对折射率差Δn_凹在-0.05％～0之间；其较内层折射率最高点与纯石英层折射率的相对折射率差Δn_内外在-0.05％～0.05％；

较外层为掺杂石英，其对于纯石英层相对折射率差在-0.5％～-1.25％，厚度在10um以上，且在20um以下。

2.如权利要求1所述的反高斯型传能光纤，其特征在于，所述较内层凹陷为倒三角形或下凹弧型。

3.如权利要求1所述的反高斯型传能光纤，其特征在于，所述较内层为纯石英层或掺杂石英层。

4.如权利要求3所述的反高斯型传能光纤，其特征在于，所述较内层的数值孔径在0.01～0.05之间。

5.如权利要求1所述的反高斯型传能光纤，其特征在于，所述多个波导结构的较内层相对折射率相当，其相对折射率差的差异小于0.02％；所述多个波导结构的较外层相对折射率相当，其相对折射率差的差异小于0.2％。

6.如权利要求1～5任意一项所述的反高斯型传能光纤，其特征在于，包括两个同心嵌套的独立传输波导结构，即处于内部的第一波导结构和处于外部的第二波导结构；所述第一波导结构由其较内层纤芯和较外层第一包层构成，所述第二波导结构由其较内层第二包层和较外层第三包层构成；所述第二包层直径与纤芯直径之比大于等于3。

7.如权利要求6所述的反高斯型传能光纤，其特征在于，所述第二包层直径与纤芯直径之比小于等于8。

8.如权利要求7所述的反高斯型传能光纤，其特征在于，所述纤芯直径在20～100um，所述第一包层直径在40～140um，所述第二包层直径在60～600um，所述第三包层直径在80～800um。

9.如权利要求7所述的反高斯型传能光纤，其特征在于，包括所述处于两个嵌套的波导结构外侧的第四包层，所述第四包层为纯石英层，其直径比第三包层直径大70～150um。

10.如权利要求9所述的反高斯型传能光纤，其特征在于，所述第四包层外为高数值孔径的低折射率包层，数值孔径大于0.46，直径比第四包层直径大50～100um。

11.如权利要求1至10任意一项所述的反高斯型传能光纤的应用，其特征在于，应用于制作多合一传能型合束器或可调模式光束激光器。

12.如权利要求11所述的反高斯型传能光纤的应用，其特征在于，所述反高斯型传能光纤与N×1架构合束器熔接，其中第一波导结构与所述N×1架构合束器的中间位置一路光纤耦合，第二波导结构与环绕分布的所述N×1架构合束器的N-1路光纤耦合。

13.如权利要求12所述的反高斯型传能光纤的应用，其特征在于，所述N×1架构合束器的N路光纤合束拉锥后直径与所述反高斯型传能光纤包层直径一致。

14.如权利要求12所述的反高斯型传能光纤的应用，其特征在于，所述N×1架构合束器的N路光纤合束拉锥后芯包之间同心度值小于第二包层直径与芯径比值。