[发明专利]一种阵列基板及其制备方法、显示面板

说明书

本申请提供了一种阵列基板及其制备方法、显示面板，涉及显示技术领域，该阵列基板包括衬底；栅极层，包括多个栅极和多条栅线；半导体透光层，位于栅极层远离衬底的一侧，包括多个有源层和多条第一存储电极线；多个像素电极，位于半导体透光层远离衬底的一侧；其中，有源层在衬底上的正投影位于栅极在衬底上的正投影以内，第一存储电极线沿平行于栅线的方向延伸，第一存储电极线在衬底上的正投影与像素电极在衬底上的正投影交叠，且第一存储电极线在衬底上的正投影与栅极层在衬底上的正投影互不交叠。该阵列基板的开口率提升，从而能够提高显示面板整体的光透过率。

技术领域

本申请涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板及其制备方法、显示面板。

背景技术

随着显示技术的快速发展，人们对高透过率显示面板的需求持续增多。相关技术中，显示面板的存储电容由栅极金属层的部分区域和像素电极构成，且像素电极在显示面板的衬底上的正投影和栅极金属层在显示面板的衬底上的正投影互不交叠，这样，由于栅极金属层不能透光，严重降低了显示面板的光线透过率。

目前，亟需一种显示面板，以解决上述问题。

发明内容

本申请的实施例提供了一种阵列基板及其制备方法、显示面板，该阵列基板的开口率提升，从而能够提高显示面板整体的光透过率。

本申请的实施例采用如下技术方案：

第一方面，本申请的实施例提供了一种阵列基板，包括：

衬底；

栅极层，包括多个栅极和多条栅线；

半导体透光层，位于所述栅极层远离所述衬底的一侧，包括多个有源层和多条第一存储电极线；

多个像素电极，位于所述半导体透光层远离所述衬底的一侧；

其中，所述有源层在所述衬底上的正投影位于所述栅极在所述衬底上的正投影以内，所述第一存储电极线沿平行于所述栅线的方向延伸，所述第一存储电极线在所述衬底上的正投影与所述像素电极在所述衬底上的正投影交叠，且所述第一存储电极线在所述衬底上的正投影与所述栅极层在所述衬底上的正投影互不交叠。

在本申请的一些实施例中，所述有源层和所述第一存储电极线的材料均为金属氧化物半导体材料，且所述第一存储电极线的材料的氧含量小于所述有源层的材料的氧含量。

在本申请的一些实施例中，所述阵列基板还包括源漏金属层，所述源漏金属层位于所述半导体透光层远离所述衬底的一侧；

所述源漏金属层包括多个源极和多个漏极，所述源极和所述漏极分别与所述有源层直接接触。

在本申请的一些实施例中，所述源漏金属层还包括多条数据线，所述数据线和所述栅线相交且绝缘，所述数据线和所述栅线限定出所述像素电极所在的区域；

其中，所述第一存储电极线和所述数据线相交且绝缘；

或，所述第一存储电极线在沿垂直于所述衬底的方向上与所述数据线交叠的区域处断开设置。

在本申请的一些实施例中，所述半导体透光层还包括多条第二存储电极线，所述第二存储电极线沿平行于所述数据线的方向延伸且和所述第一存储电极线相交，并在两者的交点处电连接；

在所述第一存储电极线和所述数据线相交且绝缘的情况下，各所述第二存储电极线在沿垂直于所述衬底的方向上与所述栅线交叠的区域处断开设置。

在本申请的一些实施例中，所述半导体透光层还包括多条第二存储电极线，所述第二存储电极线沿平行于所述数据线的方向延伸且和所述第一存储电极线相交，并在两者的交点处电连接；

在所述第一存储电极线在沿垂直于所述衬底的方向上与所述数据线交叠的区域处断开设置的情况下，所述第二存储电极线和所述栅线相交且绝缘。