[发明专利]固态成像装置和电子设备

说明书

本发明涉及固态成像装置和电子设备。其中固态成像装置可包括：像素阵列单元，所述像素阵列单元包括多个像素，所述多个像素包括第一像素和邻近所述第一像素的第一侧的第二像素；第一多段遮光壁，所述第一多段遮光壁设置在所述第一像素和所述第二像素之间，所述第一多段遮光壁包括：第一遮光壁，所述第一遮光壁贯穿第一膜；和第二遮光壁，所述第二遮光壁贯穿第二膜，并且在横截面图中，所述第二遮光壁沿朝向所述像素阵列单元的外围的方向从所述第一遮光壁偏移；第一遮光膜，所述第一遮光膜与所述第二遮光壁的第一端接触，其中，所述第一遮光膜的宽度大于所述第二遮光壁的最大宽度。

本申请是申请日为2016年1月4日、发明名称为“固态成像装置、固态成像装置的制造方法和电子设备”的申请号为201680000828.4的专利申请的分案申请。

技术领域

本发明涉及固态成像装置、固态成像装置的制造方法和电子设备，具体地，涉及一种能够提高斜光特性和灵敏度的固态成像装置、固态成像装置的制造方法和电子设备。

背景技术

关于CMOS固态成像装置，已知有前照型和背照型。在前照型CMOS固态成像装置中，通过将基板前表面设定为光接收面，使光进入该基板表面的形成有多层配线层和像素晶体管的前表面侧。在背照型CMOS固态成像装置中，通过将基板的后表面设定为光接收面，使光进入作为形成有多层配线层和像素晶体管的基板前表面的相反侧的后表面侧(例如，参见专利文献1)。

在背照型中，光不受多层配线层的限制而进入光电二极管。因此，在相同像素间距的条件下比较两种类型的情况下，在背照型中光电二极管的开口可以形成得比前照型宽，并且能够实现比前照型更高的灵敏度。另外，由于背照型在光接收面侧上没有配线层，因此，聚光结构的高度可以形成为低于前照型，并且可以实现良好的斜光特性(例如，参见非专利文献1)。

引用列表

专利文献

专利文献1：日本专利申请特开第2011-135101号

非专利文献

非专利文献1：The latest trend in CMOS image sensors-high performance,versatile functions,and wide application thereof(2007CMC出版有限公司)第39-40页,S.Iwabuchi等.ISSCC Dig.Tech.Papers.pp.302-303,(2006)

发明内容

技术问题

然而，例如，在用于数码单镜头相机的图像传感器中，具有比所安装的镜头的主光束角度更大的角度的光往往是不需要的光，诸如相机壳体内的反射光，并且在斜光特性高于需要的情况下，可以检测到不必要的光，并且图像会被劣化。在在高度被降低的状态下对斜光特性进行调节的情况中，要考虑调节像素之间的遮光膜的宽度，但是由于片上透镜和遮光膜之间的距离接近，因此在遮光膜的开口处可能产生渐晕现象，并且灵敏度会劣化。在旨在仅具有针对必需角度范围内的光的灵敏度的情况下，在高度被增加的状态下，可以调节像素之间的遮光膜的宽度，并在一定程度上将焦点调节至光接收面(遮光膜的开口)。然而，在这种情况下，可能存在由片上透镜和遮光膜之间的斜光造成混色的问题。

考虑到上述情况作出本发明，并且本发明旨在实现背照型固态成像装置中斜光特性和灵敏度二者的改善。

技术方案

根据本发明的第一方面的固态成像装置包括像素阵列单元，其中多个像素以二维的方式排列成矩阵，并且在像素之间设置有多段遮光壁。

在根据本发明的第二方面的固态成像装置的制造方法中，在形成其中多个像素以二维的方式排列成矩阵的像素阵列单元时，在所述像素之间形成多段遮光壁。