[发明专利]半导体工艺方法和半导体工艺设备

权利要求书

1.一种半导体工艺方法，应用于半导体工艺设备中，其特征在于，所述半导体工艺方法包括：

在当前的晶圆加工任务完成后，确定至少一个清洁模式当前的膜厚累积参数；

对于任一所述清洁模式，当该清洁模式的所述膜厚累积参数达到该清洁模式对应的预设阈值时，执行该清洁模式对应的腔室清洁任务。

2.根据权利要求1所述的半导体工艺方法，其特征在于，所述确定至少一个清洁模式的膜厚累积参数，包括：

将当前的所述晶圆加工任务对应的膜厚参数增加至每个所述清洁模式历史的所述膜厚累积参数，得到每个所述清洁模式当前的所述膜厚累积参数；

所述半导体方法还包括：

在执行所述腔室清洁任务后，将该腔室清洁任务对应的所述清洁模式的所述膜厚累积参数清零。

3.根据权利要求2所述的半导体工艺方法，其特征在于，所述清洁模式的数量为多个，每个所述清洁模式均具有对应的优先级；

所述半导体工艺方法还包括：

当多个所述清洁模式的所述膜厚累积参数同时达到各自对应的预设阈值时，按照多个所述清洁模式的优先级依次执行多个所述清洁模式对应的多个所述腔室清洁任务。

4.根据权利要求2所述的半导体工艺方法，其特征在于，所述半导体工艺方法还包括：

在任一所述清洁模式的所述膜厚累积参数达到对应的所述预设阈值时，抛出与该清洁模式对应的清洁告警信息。

5.根据权利要求1所述的半导体工艺方法，其特征在于，所述对于任一所述清洁模式，当该清洁模式的所述膜厚累积参数达到该清洁模式对应的预设阈值时，执行该清洁模式对应的腔室清洁任务，包括：

在任一所述清洁模式的所述膜厚累积参数达到对应的所述预设阈值时，创建与该清洁模式对应的所述腔室清洁任务，并将所述腔室清洁任务插入至任务队列中当前晶圆加工任务与下一晶圆加工任务之间。

6.根据权利要求5所述的半导体工艺方法，其特征在于，所述腔室清洁任务包括与所述清洁模式对应的清洁工艺配方；

所述执行该清洁模式对应的腔室清洁任务，包括：

获取所述腔室清洁任务；

根据所述腔室清洁任务中的所述清洁工艺配方控制所述半导体工艺设备对其反应腔室进行清洁。

7.一种半导体工艺设备，包括半导体工艺组件和控制系统，所述控制系统用于控制所述半导体工艺组件进行半导体工艺，其特征在于，所述控制系统能够实现权利要求1至6中任意一项所述的半导体工艺方法。

8.根据权利要求7所述的半导体工艺设备，其特征在于，所述控制系统包括上位机和控制组件，所述上位机用于根据自身存储的任务信息，通过所述控制组件控制所述半导体工艺组件按照所述任务信息中的任务队列依次进行多个晶圆加工任务；

所述控制组件还用于在当前的晶圆加工任务完成后，将当前的晶圆加工任务对应的膜厚参数增加至每个清洁模式历史的膜厚累积参数，得到每个所述清洁模式当前的所述膜厚累积参数；获取所述上位机创建的腔室清洁任务，并根据所述上位机的通知控制所述半导体工艺组件执行所述腔室清洁任务；以及，在所述半导体工艺组件执行所述腔室清洁任务后，将该腔室清洁任务对应的所述清洁模式的所述膜厚累积参数清零；

所述上位机还用于在任一所述清洁模式的所述膜厚累积参数达到对应的所述预设阈值时，创建与该清洁模式对应的所述腔室清洁任务，并将所述腔室清洁任务插入至所述任务队列中当前晶圆加工任务与下一晶圆加工任务之间。

9.根据权利要求8所述的半导体工艺设备，其特征在于，所述清洁模式的数量为多个，每个所述清洁模式均具有对应的优先级；

所述上位机还用于在多个所述清洁模式的所述膜厚累积参数同时达到各自对应的所述预设阈值时，创建与多个所述清洁模式对应的所述腔室清洁任务，并将多个所述腔室清洁任务按所述优先级的大小顺序依次插入至所述任务队列中当前晶圆加工任务与下一晶圆加工任务之间。

10.根据权利要求8所述的半导体工艺设备，其特征在于，所述控制组件还用于在任一所述清洁模式的所述膜厚累积参数达到对应的所述预设阈值时，抛出与该清洁模式对应的清洁告警信息。