[发明专利]一种双取向硅钢薄带及其制备方法在审
| 申请号： | 202111672979.3 | 申请日： | 2021-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN114293106A | 公开（公告）日： | 2022-04-08 |
| 发明（设计）人： | 贾涓;丁娇;吴硕;邹先硕;宋新莉;程朝阳;刘升;刘静 | 申请（专利权）人： | 武汉科技大学 |
| 主分类号： | C22C38/02 | 分类号： | C22C38/02;C22C38/04;C22C38/06;C21D1/26;C21D1/74;C21D6/00;C21D8/12;H01F27/245 |
| 代理公司： | 北京金智普华知识产权代理有限公司 11401 | 代理人： | 张晓博 |
| 地址： | 430081 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 取向 硅钢 及其 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种双取向硅钢薄带制备方法，其特征在于，所述双取向硅钢薄带制备方法，包括：
步骤一，选取具有Si、Al、Mn、C和Fe，且具有一定取向的硅钢薄带；
步骤二，将其进行冷轧；
步骤三，将冷轧板在N2、H2保护气氛中进行退火处理。
2.如权利要求1所述双取向硅钢薄带制备方法，其特征在于，所述步骤一中，硅钢薄带具体过程为：
钢板厚度0.20-0.35mm，晶粒大小100-10000μm，且具有{110}001Goss取向。
3.如权利要求1所述双取向硅钢薄带制备方法，其特征在于，所述步骤二中，冷轧条件为：室温下，压下量为0～50％。
4.如权利要求1所述双取向硅钢薄带制备方法，其特征在于，所述步骤三中，退火过程为：800～1200℃条件下保温1～10min，快速冷却。
5.一种通过如权利要求1～4任意一项所述双取向硅钢薄带制备方法制备的双取向硅钢薄带，其特征在于，所述双取向硅钢薄带组分质量份数为：Si 2.0～3.5wt％，Al 0～1.0wt％，Mn 0～1.0wt％，C 0～0.1wt％，其余为Fe和不可避免的杂质。
6.一种变压器，其特征在于，所述变压器安装有权利要求5所述双取向硅钢薄带制作的电器元件。
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