[发明专利]三维存储器装置、三维存储器装置的编程处理方法

权利要求书

1.一种三维存储器装置的编程处理方法，其特征在于，所述方法包括：

在三维存储器装置中确定待编程的多个存储器单元层；以及

对所述多个存储器单元层中包括的多个存储单元执行编程处理；其中，

对于所述存储单元执行的编程处理包括高态编程处理和低态编程处理，所述高态编程处理是将所述存储单元的阈值电压编程至第一电压，所述低态编程处理是将所述存储单元的阈值电压编程至第二电压，所述第一电压大于所述第二电压；

在所述多个存储单元中，对于对应存储器单元层相邻、对应存储串相同、且分别对应所述高态编程处理和所述低态编程处理的两个存储单元，其中一个存储单元对应的低态编程处理的执行顺序在另一个存储单元对应的高态编程处理之后。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述多个存储器单元层的层数为Y，所述对所述多个存储器单元层中包括的多个存储单元执行编程处理，包括：

对Y个存储器单元层中第1层至第N层中的存储单元执行高态编程处理，其中，N为正整数且小于Y；

然后，将M取值为1，对所述Y个存储器单元层中第M层中的存储单元执行低态编程处理，对所述Y个存储器单元层中第N+M层中的存储单元执行高态编程处理；

之后，如果确定N+M小于Y，则将M的取值加1，并转至所述对所述Y个存储器单元层中第M层中的存储单元执行低态编程处理；如果确定N+M等于Y，则对所述Y个存储器单元层中第M+1层至第N+M层中的存储单元执行低态编程处理。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述对Y个存储器单元层中第1层至第N层中的存储单元执行高态编程处理，包括：

基于三维存储器装置中存储单元对应的地址顺序，对Y个存储器单元层中第1层至第N层中的存储单元执行高态编程处理；

所述对所述Y个存储器单元层中第M层中的存储单元执行低态编程处理，包括：

基于三维存储器装置中存储单元对应的地址顺序，对所述Y个存储器单元层中第M层中的存储单元执行低态编程处理；

所述对所述Y个存储器单元层中第N+M层中的存储单元执行高态编程处理，包括：

基于三维存储器装置中存储单元对应的地址顺序，对所述Y个存储器单元层中第N+M层中的存储单元执行高态编程处理；

所述对所述Y个存储器单元层中第M+1层至第N+M层中的存储单元执行低态编程处理，包括：

基于三维存储器装置中存储单元对应的地址顺序，对所述Y个存储器单元层中第M+1层至第N+M层中的存储单元执行低态编程处理。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述多个存储器单元层的个数为Y，所述三维存储器装置中包括Z个漏极选择线DSL；所述对所述多个存储器单元层中包括的多个存储单元执行编程处理，包括：

将P取值为1，对Y个存储器单元层中第1层至第N层中第P个DSL对应的存储单元执行高态编程处理，再对所述Y个存储器单元层中第1层的第P个DSL对应的存储单元执行低态编程处理，其中，N为正整数且小于Y；

然后，如果确定P小于Z，则将P的取值加1，转至所述对Y个存储器单元层中第1层至第N层中第P个DSL对应的存储单元执行高态编程处理；如果确定P等于Z，则将P取值为1，将M取值为1，对所述Y个存储器单元层中第N+M层中第P个DSL对应的存储单元执行高态编程处理，再对所述Y个存储器单元层中第M+1层中第P个DSL对应的存储单元执行低态编程处理；

之后，如果确定P小于Z，则将P的取值加1，转至所述对所述Y个存储器单元层中第N+M层中第P个DSL对应的存储单元执行高态编程处理；如果确定P等于Z且N+M小于Y，则将P取值为1，将M的取值加1，转至所述对所述Y个存储器单元层中第N+M层中第P个DSL对应的存储单元执行高态编程处理；如果确定P等于Z且N+M等于Y，则将P取值为1，对所述Y个存储器单元层中第M+2层至第N+M层中第P个DSL对应的存储单元执行低态编程处理，如果确定P小于Z，则将P的取值加1，转至所述对所述Y个存储器单元层中第M+2层至第N+M层中第P个DSL对应的存储单元执行低态编程处理，如果确定P等于Z，则确定所述多个存储单元的编程处理执行完毕。

5.根据权利要求2或4所述的方法，其特征在于，所述N的取值为2。