[发明专利]一种单晶硅PERC+SE太阳能电池的制造工艺

权利要求书

1.一种单晶硅PERC+SE太阳能电池的制造工艺，其特征在于，具体工艺步骤如下：

步骤1：采用槽式制绒设备，对装舟的太阳能电池前置物双面进行制绒形成绒面，进入步骤2；

步骤2：对步骤1所得的太阳能电池前置物正面进行磷扩散形成PN结，进入步骤3；

步骤3：对步骤2所得的太阳能电池前置物进行边缘刻蚀与清洗，进入步骤4；

步骤4：将步骤3所得的太阳能电池前置物置于镀膜设备的镀膜腔体内，将清洗干净的衬底装入镀膜腔内，通入流量为氢气，在射频作用下预处理，将镀膜腔抽至真空，使用惰性气体作为反应气体，在太阳能电池前置物表面镀SiO₂保护层；使用HF与去离子水混合的溶液去除扩散过程中形成在硅片背面多余的SiO₂，进入步骤5；

步骤5：取得步骤4的太阳能电池前置物进行碱洗、碱抛、酸洗、慢提拉和烘干后，进入步骤6；

步骤6：取得步骤5所得的太阳能电池前置物置于镀膜设备的镀膜腔体内，惰性气体作为反应气体，在太阳能电池前置物表面形成SiO2修复层，进入步骤7；

步骤7：将步骤6所得的太阳能电池前置物于30分钟内放入膜设备的ALD工艺腔，对其背面ALD制备氧化铝，氧化铝膜厚为3-5nm，进入步骤8；

步骤8：将步骤7所得的太阳能电池前置物的背面PECVD沉积钝化介质层，进入步骤9；

步骤9：将步骤8所得的太阳能电池前置物的正面PECVD沉积SiNx减反射膜，进入步骤10；

步骤10：将步骤9所得太阳能电池前置物背面激光局部开槽，进入步骤11；

步骤11：将步骤10所得太阳能电池前置物表面通过使用丝网印刷技术，制备电池片的正电极、背电极及背场，得到太阳能电池片，进入步骤12；

步骤12：将步骤11所得太阳能电池片通过高温烧结技术，使金属与硅之间形成良好的欧姆接触，电注入退火，进入步骤13；

步骤13：测试分选太阳能电池片的电性能，进入步骤14；

步骤14：将步骤步骤13所得的太阳能电池片包装入库。

2.如权利要求1所述的一种单晶硅PERC+SE太阳能电池的制造工艺，其特征在于：所述步骤4和步骤6的惰性气体均为硅烷和甲硅烷的混合气体。

3.如权利要求1所述的一种单晶硅PERC+SE太阳能电池的制造工艺，其特征在于：所述步骤8中太阳能电池前置物的背膜膜厚范围为115-125nm。

4.如权利要求1所述的一种单晶硅PERC+SE太阳能电池的制造工艺，其特征在于：所述步骤9中太阳能电池前置物的正膜膜厚范围为72-82nm，折射率在2.04-2.12。