[发明专利]显示模组、显示模组的制造方法及电子设备在审

专利信息
申请号: 202111674954.7 申请日: 2021-12-31
公开(公告)号: CN114361363A 公开(公告)日: 2022-04-15
发明(设计)人: 盖翠丽;潘康观;郭恩卿;李俊峰;邢汝博;陈发祥 申请(专利权)人: 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司
主分类号: H01L51/52 分类号: H01L51/52;H01L27/32;H01L51/56
代理公司: 成都极刻智慧知识产权代理事务所(普通合伙) 51310 代理人: 唐维虎
地址: 215300 江苏省苏*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 显示 模组 制造 方法 电子设备
【权利要求书】:

1.一种显示模组,其特征在于,所述显示模组包括阵列基板及位于所述阵列基板上的器件层;

所述阵列基板中设置有辅助电极;所述阵列基板靠近所述器件层的一侧形成有暴露出所述辅助电极的第一开口;

所述器件层包括第一电极层、像素界定层、发光材料层及第二电极层;所述第一电极层包括位于所述阵列基板上且相互间隔的多个第一电极;所述像素界定层包括多个像素开口,各所述第一电极通过所述像素界定层相互隔离,每个所述像素开口暴露出一个所述第一电极;所述发光材料层位于所述像素开口内并覆盖所述第一电极;所述第二电极层覆盖所述发光材料层远离所述第一电极层一侧;

所述像素界定层还包括第二开口,所述第二开口与所述第一开口连通,

所述第二电极层通过所述第一开口和所述第二开口与所述辅助电极电性连接,且所述辅助电极和所述第二电极层分别与同一电源端电性连接。

2.根据权利要求1所述的显示模组,其特征在于,所述阵列基板包括平坦化层,所述平坦化层位于所述阵列基板靠近所述器件层的一侧;所述辅助电极位于所述平坦化层中,所述第一开口位于所述平坦化层朝向所述器件层的一侧。

3.根据权利要求1所述的显示模组,其特征在于,所述器件层还包括公共层;所述公共层的至少部分覆盖于通过所述第一开口和所述第二开口暴露出的所述辅助电极远离所述阵列基板的一侧,所述第二电极层位于所述公共层远离所述阵列基板的一侧;

所述显示模组还包括至少贯穿所述第二电极层及所述公共层的第一通孔;

至少部分填充于所述第一通孔内的导通层,所述第二电极层通过所述导通层与所述辅助电极电性连接,或者,所述第二电极层沿所述第一通孔延伸至与所述辅助电极电性连接。

4.根据权利要求3所述的显示模组,其特征在于,所述辅助电极包括沿着所述阵列基板指向所述器件层的方向上依次层叠设置的第一金属层、第二金属层及第三金属层;

所述辅助电极还包括至少贯穿所述第二金属层和所述第三金属层的第二通孔,所述第二金属层在所述第二通孔处相对所述第三金属层内缩;

所述公共层和所述第二电极层在与所述第二通孔对应的位置处具有第三通孔,所述第二通孔和所述第三通孔连通构成所述第一通孔;

所述第二电极层通过所述导通层与所述第二金属层电性连接,且所述第二金属层和所述第二电极层分别与同一电源端电性连接。

5.根据权利要求4所述的显示模组,其特征在于,所述第一金属层和所述第三金属层对刻蚀液的抗腐蚀性大于所述第二金属层对刻蚀液的抗腐蚀性;

优选地,所述第二金属层的导电率大于所述第一金属层和所述第三金属层的导电率;

优选地,所述第一金属层和所述第三金属层的材料为钛,所述第二金属层的材料为铝。

6.一种显示模组的制造方法,其特征在于,所述方法包括:

形成具有辅助电极的阵列基板,并在所述阵列基板上形成暴露出所述辅助电极的第一开口;

基于所述阵列基板依次形成第一电极层、像素界定层和发光材料层,并在所述像素界定层与所述辅助电极对应的位置形成与所述第一开口连通的第二开口;其中,所述第一电极层包括形成于所述阵列基板上且相互间隔的多个第一电极;所述像素界定层包括多个像素开口,各所述第一电极通过所述像素界定层相互隔离,每个所述像素开口暴露出一个所述第一电极;所述发光材料层形成于所述像素开口内;

从所述像素界定层和所述发光材料层远离所述阵列基板的一侧形成第二电极层,所述第二电极层通过所述第一开口和所述第二开口与所述辅助电极电性连接;

将所述辅助电极和所述第二电极层分别与同一电源端电性连接。

7.根据权利要求6所述的方法,其特征在于,所述形成具有辅助电极的阵列基板的步骤,包括:

形成阵列驱动层;

基于所述阵列驱动层形成第一平坦化层;

在所述第一平坦化层上形成辅助电极;

从所述第一平坦化层以及所述辅助电极远离所述阵列驱动层的一侧形成第二平坦化层,并基于所述第二平坦化层暴露出所述辅助电极的第一开口。

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