[发明专利]一种半导体废气处理设备进气口的新型自吸气防堵装置在审

专利信息
申请号: 202111675072.2 申请日: 2021-12-31
公开(公告)号: CN114321540A 公开(公告)日: 2022-04-12
发明(设计)人: 崔汉博;崔汉宽 申请(专利权)人: 上海高生集成电路设备有限公司
主分类号: F16L41/03 分类号: F16L41/03;F16L55/24;F17D3/01;F17D3/12;B08B9/027
代理公司: 上海老虎专利代理事务所(普通合伙) 31434 代理人: 葛瑛
地址: 200000 上海市*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 一种 半导体 废气 处理 设备 进气口 新型 吸气 装置
【权利要求书】:

1.一种半导体废气处理设备进气口的新型自吸气防堵装置,包括自吸气式进气管,其特征在于:所述自吸气式进气管包括位于上方的上管体(1)和位于下方的下管体(2),所述上管体(1)与下管体(2)之间通过螺栓固定且两者的连接处形成有缓冲腔道(3),所述上管体(1)的两侧对称开设有导入口一(4)、导入口二(5),所述导入口一(4)内置有气压传感器(6),所述下管体(2)的一侧开设有导入口三(7),所述缓冲腔道(3)的内部活动设置有旋转内环(8),所述旋转内环(8)的正上方设置有上环(9),所述上环(9)活动安装于上管体(1)的顶部且与旋转内环(8)之间垂直安装有四组清洁机构,所述清洁机构包括垂直设置的连接杆(10)和固定于连接杆(10)上的剥离片(11),所述剥离片(11)的内侧与上管体(1)内壁、下管体(2)内壁相接触,所述导入口二(5)的内部通入有惰性N2,所述导入口三(7)的内部通入有高压N2。

2.根据权利要求1所述的一种半导体废气处理设备进气口的新型自吸气防堵装置,其特征在于:所述旋转内环(8)为双层结构且包括外环(12)和内环(13),所述外环(12)的表面均匀开设有若干组气动槽口(14),所述气动槽口(14)的两侧对称开设有两组气体导入口(15),所述气体导入口(15)的内端延伸至内环(13)的内部。

3.根据权利要求2所述的一种半导体废气处理设备进气口的新型自吸气防堵装置,其特征在于:所述气动槽口(14)的左侧呈倾斜状结构且右侧呈弧面结构,所述气动槽口(14)的外端口径大于内端口径。

4.根据权利要求2所述的一种半导体废气处理设备进气口的新型自吸气防堵装置,其特征在于:所述气体导入口(15)的外端与缓冲腔道(3)相连通,所述气体导入口(15)的外端规格大于内端规格,所述气体导入口(15)的底部呈坡面结构。

5.根据权利要求1所述的一种半导体废气处理设备进气口的新型自吸气防堵装置,其特征在于:所述上环(9)的表面内嵌有若干组转子(16),若干组所述转子(16)与上管体(1)的内壁转动连接。

6.根据权利要求4所述的一种半导体废气处理设备进气口的新型自吸气防堵装置,其特征在于:所述缓冲腔道(3)呈下端呈弧面结构且末端形成有出气口(17),所述出气口(17)正对气动槽口(14)。

7.根据权利要求1所述的一种半导体废气处理设备进气口的新型自吸气防堵装置,其特征在于:所述剥离片(11)为两段式结构且包括固定于连接杆(10)上的主板(18)和固定于主板(18)外侧的清洁刷(19),所述清洁刷(19)采用橡胶材料且外端与自吸气式进气管的内壁相接触。

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