[发明专利]半导体Cu制程设备零部件表面双层附着物的清洗方法在审
| 申请号： | 202111675165.5 | 申请日： | 2021-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN114351154A | 公开（公告）日： | 2022-04-15 |
| 发明（设计）人： | 王阳阳;许义杰;杨科;陶近翁;陶岳雨 | 申请（专利权）人： | 卡贝尼新材料科技(上海)有限公司 |
| 主分类号： | C23G1/20 | 分类号： | C23G1/20;C23G1/19;C23G1/10;C23G1/08;C23F1/36;C23F1/38;C23F1/44;B08B3/04;B08B3/08;B08B3/12 |
| 代理公司： | 上海段和段律师事务所 31334 | 代理人： | 祁春倪 |
| 地址： | 200120 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 cu 设备 零部件 表面 双层 附着物 清洗 方法 | ||
1.一种半导体Cu制程设备零部件表面双层附着物的清洗方法，其特征在于，包括如下步骤：
步骤S1：将待清洗零部件交叉放置于清洗容器中；
步骤S2：向清洗容器内加入强碱和热水，热水与强碱形成高温碱液并与零部件表面第一层附着物铝熔射层反应，碱液覆盖零部件，浸泡直至零部件上的附着物完全去除；
步骤S3：用纯水对碱液洗后的零部件进行漂洗，去除残留碱液；
步骤S4：用弱酸液浸泡零部件，去除表面残留附着物的印痕；
步骤S5：用纯水对酸液洗后的零部件进行漂洗，超声清洗，去除残留酸液。
2.根据权利要求1所述的半导体Cu制程设备零部件表面双层附着物的清洗方法，其特征在于，所述强碱包括氢氧化钠或者氢氧化钾。
3.根据权利要求1所述的半导体Cu制程设备零部件表面双层附着物的清洗方法，其特征在于，所述弱酸溶液的体积配比为HNO3：HF：H2O＝18％～22％：2％～4％：74％～80％。
4.根据权利要求1所述的半导体Cu制程设备零部件表面双层附着物的清洗方法，其特征在于，所述零部件的清洗方法顺序为:①放置部件,②加入强碱,③加入热水,④纯水漂洗,⑤弱酸中和,⑥纯水漂洗,⑦超声清洗。
5.根据权利要求1所述的半导体Cu制程设备零部件表面双层附着物的清洗方法，其特征在于，所述零部件包括陶瓷、钛合金或不锈钢。
6.根据权利要求1所述的半导体Cu制程设备零部件表面双层附着物的清洗方法，其特征在于，所述强碱的比例为20％～30％，热水的比例为70％～80％。
7.根据权利要求1所述的半导体Cu制程设备零部件表面双层附着物的清洗方法，其特征在于，所述热水的温度为90～100℃。
8.根据权利要求1所述的半导体Cu制程设备零部件表面双层附着物的清洗方法，其特征在于，零部件浸泡在碱液中的时间为10min～30min。
9.根据权利要求1所述的半导体Cu制程设备零部件表面双层附着物的清洗方法，其特征在于，弱酸液浸泡零部件的时间为3-5s。
10.根据权利要求1所述的半导体Cu制程设备零部件表面双层附着物的清洗方法，其特征在于，零部件表面双层附着物第一层附着物为铝熔射层，第二层附着物为Ta、Ti或TiN。
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