[发明专利]体声波器件及其制作方法

说明书

本发明涉及一种体声波器件及其制作方法，其中体声波器件的制作方法包括：提供基底，基底具有发射器件区与接收器件区；于基底上形成第一功能层，第一功能层至少覆盖发射器件区与接收器件区；于第一功能层上形成刻蚀停止层；于刻蚀停止层上形成第二功能材料层；基于刻蚀停止层，去除对应接收器件区的第二功能材料层，剩余的第二功能材料层构成第二功能层，第二功能层与第一功能层共同形成功能结构层，体声波器件的压电层或者底电极层或者顶电极层包括该功能结构层。本申请可以有效降低体声波器件的制作成本。

技术领域

本申请涉及体声波技术领域，特别是涉及一种体声波器件及其制作方法。

背景技术

体声波器件中，发射器件与接收器件的频率不一样。同时，频率与器件各膜层厚度相关，不同的频率需要不同的膜层厚度。因此，现有体声波器件通常在不同的晶圆上分别制备发射器件与接收器件，然后再将二者通过封装的方式制备而成。

但是，该种制备方法工艺过程相对复杂，成本相对较高。

发明内容

基于此，本申请实施例提供一种能够降低成本的体声波器件及其制作方法。

一种体声波器件的制作方法，包括：

提供基底，所述基底具有发射器件区与接收器件区；

于所述基底上形成第一功能层，所述第一功能层至少覆盖所述发射器件区与所述接收器件区；

于所述第一功能层上形成刻蚀停止层；

于所述刻蚀停止层上形成第二功能材料层；

基于所述刻蚀停止层，去除所述接收器件区上的第二功能材料层，剩余的所述第二功能材料层构成第二功能层，所述第二功能层与所述第一功能层共同形成功能结构层，所述体声波器件的压电层或者底电极层或者顶电极层包括该功能结构层。

在其中一个实施例中，所述刻蚀停止层为温度补偿层。

在其中一个实施例中，所述温度补偿层的材料为二氧化硅或者掺氟二氧化硅。

在其中一个实施例中，所述压电层包括所述功能结构层，

所述于所述基底上形成第一功能层之前，还包括：

于所述基底上形成图形化的底电极层；

所述于所述基底上形成第一功能层包括：

于所述底电极层上以及所述基底上形成第一功能层；

所述基于所述刻蚀停止层，去除所述接收器件区上的第二功能材料层之后，还包括：

于所述刻蚀停止层以及所述第二功能层上形成图形化的顶电极层。

在其中一个实施例中，所述底电极层包括所述功能结构层，

所述基于所述刻蚀停止层，去除所述接收器件区上的第二功能材料层之后，还包括：

于所述第二功能层、所述刻蚀停止层以及所述基底上形成压电层；

于所述压电层上形成图形化的顶电极层。

在其中一个实施例中，所述顶电极层包括所述功能结构层，

所述于所述基底上形成第一功能层之前，还包括：

于所述基底上形成图形化的底电极层；

于所述底电极层以及所述基底上形成压电层；

所述于所述基底上形成第一功能层包括：

于所述压电层上形成第一功能层。