[发明专利]一种系统级芯片及其制作方法

说明书

本发明提供了一种系统级芯片及其制作方法，通过衬底基板的多晶硅衬底实现高阻率衬底，及通过衬底基板的单晶硅衬底实现低阻率衬底；进而能够通过高阻率的多晶硅衬底支持射频芯片结构的功能，及通过低阻率的单晶硅衬底支持逻辑控制芯片结构的功能，达到在系统级芯片中实现逻辑控制芯片结构和射频芯片结构兼容的目的。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，更为具体地说，涉及一种系统级芯片及其制作方法。

背景技术

RF(Radio Frequency，射频)-SOI(Silicon on Insulator，绝缘体上硅)已经牢牢把控4G手机射频开关市场；RF-SOI技术目前已经成为4G手机开关类RF应用的主流技术，其市占率已经超过95％。FD-SOI是全耗尽型绝缘衬底上硅技术，同传统基于体硅或者Fin-FET相比具有灵活可调的背偏压可以极大得提高芯片性能，其在体硅中引入了超薄的埋氧层作为绝缘层，具有功耗低、速度快、抗辐射、可靠性高的特点，具备高性能运算能力。现有技术中，RF-SOI和FD-SOI采用完全不同电阻率的衬底，相关芯片结构无法实现兼容。

发明内容

有鉴于此，本发明提供了一种系统级芯片及其制作方法，有效解决现有技术存在的技术问题，在系统级芯片中实现了逻辑控制芯片结构和射频芯片结构的兼容。

为实现上述目的，本发明提供的技术方案如下：

一种系统级芯片的制作方法，包括：

提供单晶硅衬底；

在所述单晶硅衬底上形成埋氧层，所述埋氧层划分为逻辑区域和射频区域；

在所述埋氧层背离所述单晶硅衬底一侧形成芯片结构，所述芯片结构包括对应所述逻辑区域的逻辑控制芯片结构和第一连线焊盘，及对应所述射频区域的射频芯片结构及第二连线焊盘；

去除所述单晶硅衬底对应所述射频区域的部分形成镂空区；

在所述埋氧层朝向所述单晶硅衬底一侧，形成位于所述镂空区处的多晶硅衬底；

在所述单晶硅衬底及所述多晶硅衬底背离所述芯片结构一侧形成封装线路层，所述封装线路层通过过孔与所述第一连线焊盘和所述第二连线焊盘相连通。

可选的，在形成所述芯片结构后且形成所述镂空区前，还包括：

在所述芯片结构背离所述单晶硅衬底一侧形成键合支撑基板。

可选的，所述第一连线焊盘和所述第二连线焊盘为钨金属焊盘。

相应的，本发明还提供了一种系统级芯片的制作方法，包括：

提供多晶硅衬底；

在所述多晶硅衬底上形成埋氧层，所述埋氧层划分为逻辑区域和射频区域；

在所述埋氧层背离所述多晶硅衬底一侧形成芯片结构，所述芯片结构包括对应所述逻辑区域的逻辑控制芯片结构和第一连线焊盘，及对应所述射频区域的射频芯片结构及第二连线焊盘；

去除所述多晶硅衬底对应所述逻辑区域的部分形成镂空区；

在所述埋氧层朝向所述多晶硅衬底一侧，形成位于所述镂空区处的单晶硅衬底；

在所述单晶硅衬底及所述多晶硅衬底背离所述芯片结构一侧形成封装线路层，所述封装线路层通过过孔与所述第一连线焊盘和所述第二连线焊盘相连通。

可选的，在形成所述芯片结构后且形成所述镂空区前，还包括：

在所述芯片结构背离所述多晶硅衬底一侧形成键合支撑基板。

可选的，所述第一连线焊盘和所述第二连线焊盘为钨金属焊盘。