[发明专利]VCSEL芯片的制备方法在审
| 申请号： | 202111677638.5 | 申请日： | 2021-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN114361943A | 公开（公告）日： | 2022-04-15 |
| 发明（设计）人： | 郭铭浩;周圣凯;赖威庭;王立;李念宜 | 申请（专利权）人： | 浙江睿熙科技有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/183 | 分类号： | H01S5/183;C30B33/00 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 刘娜 |
| 地址： | 311113 浙江省杭州*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | vcsel 芯片 制备 方法 | ||
1.一种VCSEL芯片的制备方法，其特征在于，包括：
步骤S10：获取VCSEL芯片的预设氧化图形；
步骤S20：获取所述VCSEL芯片的限制层(10)的不同方向的氧化速率；
步骤S30：根据所述预设氧化图形和所述VCSEL芯片的不同方向的氧化速率确定各个氧化开孔(20)的大小和位置；
步骤S40：在预设时间内，在所述限制层(10)上氧化出氧化图形(30)。
2.根据权利要求1所述的VCSEL芯片的制备方法，其特征在于，所述步骤S10包括：
步骤S11：获取所述VCSEL芯片的预设偏振方向；
步骤S12：根据所述预设偏振方向确定所述预设氧化图形。
3.根据权利要求1所述的VCSEL芯片的制备方法，其特征在于，所述步骤S20包括：
步骤S21：获取所述限制层(10)的晶格方向；
步骤S22：根据所述晶格方向确定不同方向的标定氧化速率。
4.根据权利要求3所述的VCSEL芯片的制备方法，其特征在于，在所述步骤S22中还包括：
步骤S221：预先模拟设置所述氧化开孔(20)的直径，并作为标准直径；
步骤S222：根据所述标准直径和所述晶格方向确定不同方向的标定氧化速率。
5.根据权利要求4所述的VCSEL芯片的制备方法，其特征在于，所述晶格方向包括100方向和110方向。
6.根据权利要求5所述的VCSEL芯片的制备方法，其特征在于，在所述氧化开孔(20)为所述标准直径时，所述100方向的氧化速率大于所述110方向的氧化速率。
7.根据权利要求4所述的VCSEL芯片的制备方法，其特征在于，所述标定氧化速率的大小由所述晶格方向、氧化开孔(20)的大小、氧化开孔(20)的形状、氧化温度、氧化方式、被氧化的材料中的至少一者确定。
8.根据权利要求4所述的VCSEL芯片的制备方法，其特征在于，所述步骤S30包括：
根据所述限制层(10)的不同方向的标定氧化速率以及所述预设氧化图形确定在所述预设时间内各个所述氧化开孔(20)的氧化距离；
根据各个所述氧化开孔(20)的氧化距离确定各个所述氧化开孔(20)的开设位置。
9.根据权利要求4所述的VCSEL芯片的制备方法，其特征在于，所述步骤S30包括：
根据所述预设氧化图形和各个所述氧化开孔(20)的开设位置确定各个所述氧化开孔(20)的氧化距离；
根据所述氧化距离以及所述预设时间确定各个所述氧化开孔(20)的目标氧化速率；
根据所述限制层(10)的不同方向的标定氧化速率以及各个所述氧化开孔(20)的目标氧化速率的差值，调整各个所述氧化开孔(20)的大小。
10.根据权利要求8所述的VCSEL芯片的制备方法，其特征在于，在所述根据所述限制层(10)的不同方向的标定氧化速率以及各个所述氧化开孔(20)的目标氧化速率的差值，调整各个所述氧化开孔(20)的大小的过程中，
若所述标定氧化速率等于所述目标氧化速率，调整对应的所述氧化开孔(20)的直径为标准直径；
若所述标定氧化速率大于所述目标氧化速率，调整对应的所述氧化开孔(20)的直径小于所述标准直径；
若所述标定氧化速率小于所述目标氧化速率，调整对应的所述氧化开孔(20)的直径大于所述标准直径。
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