[发明专利]LDMOS开关器件及其制作方法

权利要求书

1.一种LDMOS开关器件的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

在半绝缘SiC基底的第一表面形成栅氧化层和栅极，所述栅极位于所述栅氧化层远离所述第一表面的一侧；

在所述半绝缘SiC基底中形成漂移区，并在所述栅极两侧的所述半绝缘SiC基底中形成源/漏区，以使所述源/漏区中的漏区位于所述漂移区中。

2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述半绝缘SiC基底为N型半绝缘4H-SiC衬底或N型4H-SiC缓变外延层。

3.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，形成所述栅氧化层的步骤包括：

对所述第一表面进行热氧化处理，以形成种子氧化层；

在所述种子氧化层表面进行化学气相沉积，以形成所述栅氧化层。

4.根据权利要求3所述的制作方法，其特征在于，在所述热氧化处理的步骤之后，在所述化学气相沉积的步骤之前，形成所述栅氧化层的步骤还包括：

在包括NO和Ar的混合气体氛围下，对所述种子氧化层进行热退火处理。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的制作方法，其特征在于，所述制作方法还包括以下步骤：

在所述半绝缘SiC基底中形成体区，以使所述源/漏区中的源区位于所述体区中；

在所述体区中形成体区接触区，以使所述体区接触区位于所述源区的一侧。

6.根据权利要求5所述的制作方法，其特征在于，所述半绝缘SiC基底具有与所述第一表面相对的第二表面，所述制作方法还包括以下步骤：

去除部分所述栅氧化层，以使所述第一表面中具有与体区接触区对应的裸露区域；

在所述裸露区域上形成第一电极；

在所述半绝缘SiC基底中形成由所述第二表面贯穿至所述第一电极的第二电极，并在所述第二表面形成与所述第二电极接触的背面电极。

7.根据权利要求6所述的制作方法，其特征在于，形成所述第二电极和所述背面电极的步骤包括：

从所述第二表面的一侧刻蚀所述半绝缘SiC基底，以形成贯穿至所述第一电极的背面通孔；

在所述背面通孔中以及所述第二表面沉积导电材料，以形成所述第二电极和所述背面电极。

8.根据权利要求7所述的制作方法，其特征在于，在形成所述背面通孔的步骤之前，所述制作方法还包括以下步骤：

对所述第二表面进行掺杂处理，以在所述半绝缘SiC基底中形成重掺杂区，

在形成所述背面通孔的步骤中，所述背面通孔贯穿所述重掺杂区。

9.一种LDMOS开关器件，其特征在于，包括：

半绝缘SiC基底，具有第一表面；

栅氧化层，位于所述第一表面上；

栅极，位于所述栅氧化层远离所述第一表面的一侧；

漂移区，位于所述半绝缘SiC基底中；

源/漏区，位于所述半绝缘SiC基底中，且所述源/漏区中的漏区位于所述漂移区中。

10.根据权利要求9所述的LDMOS开关器件，其特征在于，所述半绝缘SiC基底为N型半绝缘4H-SiC衬底或N型4H-SiC缓变外延层。