[发明专利]一种NOR闪存的制备方法

说明书

本发明提供一种NOR闪存的制备方法，包括：提供衬底，所述衬底上形成有栅极叠层；在所述衬底上形成堆叠层，所述堆叠层覆盖所述衬底及所述栅极叠层的外壁，所述堆叠层包括依次堆叠于所述衬底上的氧化层、氮化硅层及第一多孔碳层；刻蚀所述堆叠层形成露出所述衬底的第一开口，所述第一开口位于相邻的所述栅极叠层之间；对所述第一开口下方的所述衬底进行第一离子注入工艺，以形成第一漏区；通过热氧工艺去除所述第一多孔碳层；在所述第一漏区上形成自对准金属硅化物层。所述衬底及所述氧化层在热氧工艺中不发生反应，避免在去除所述第一多孔碳层的过程中对所述衬底及所述氧化层造成的侧向刻蚀，进而保证自对准工艺窗口的准确性，减少漏电现象。

技术领域

本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及一种NOR闪存的制备方法。

背景技术

随着半导体技术的发展，在存储装置方面已开发出存取速度较快的快闪存储器(flash memory)。快闪存储器具有可多次进行信息的存入、读取和擦除等动作，且存入的信息在断电后也不会消失的特性，因此，快闪存储器已成为个人电脑和电子设备所广泛采用的一种非易失性存储器。NOR(“或非”型电子逻辑门)型闪存存储器能够以随机存取的方式来被读取或被程式化，并由于其非易失性、耐久性以及快速的存取时间，在移动装置中被广泛应用。

对于NOR闪存存储器，随着关键尺寸的不断缩小，存储区的深宽比越来越大，存储区接触孔的制作难度也越来越大，在现有的技术中，形成金属硅化物时自对准工艺窗口的准确性难以保证，会产生漏电现象，影响NOR闪存的性能及可靠性。

发明内容

本发明的目的在于提供一种NOR闪存的制备方法，自对准金属硅化物层自对准工艺窗口的准确性，减少漏电现象。

为了达到上述目的，本发明提供了一种NOR闪存的制备方法，包括：

提供衬底，所述衬底上形成有栅极叠层；

在所述衬底上形成堆叠层，所述堆叠层覆盖所述衬底及所述栅极叠层的外壁，所述堆叠层包括依次堆叠于所述衬底上的氧化层、氮化硅层及第一多孔碳层；

刻蚀所述堆叠层形成露出所述衬底的第一开口，所述第一开口位于相邻的所述栅极叠层之间；

对所述第一开口下方的所述衬底进行第一离子注入工艺，以形成第一漏区；

通过热氧工艺去除所述第一多孔碳层；

在所述第一漏区上形成自对准金属硅化物层。

可选的，所述热氧工艺的温度为500摄氏度～800摄氏度。

可选的，所述衬底上具有外围逻辑区和存储区，所述栅极叠层位于所述存储区上。

可选的，在形成所述栅极叠层时，在所述外围逻辑区上同步形成逻辑栅。

可选的，所述栅极叠层与所述逻辑栅之间通过字线连接。

可选的，在所述栅极叠层上形成所述堆叠层时，还同步在所述逻辑栅上形成所述堆叠层，所述堆叠层还覆盖所述外围逻辑区的衬底及所述逻辑栅。

可选的，在形成所述第一漏区之后，除去所述第一多孔碳层之前，还包括：

在所述衬底上形成第二多孔碳层，所述第二多孔碳层覆盖所述第一多孔碳层及所述第一漏区；

刻蚀除去所述逻辑栅两侧的部分所述第二多孔碳层及所述堆叠层，形成露出所述衬底的第二开口；

对所述第二开口下方的所述衬底进行第二离子注入工艺，形成第二漏区。

可选的，在形成所述第二漏区之后，通过所述热氧工艺同步去除所述第一多孔碳层及所述第二多孔碳层。

可选的，除去所述第二多孔碳层之后，在所述第一漏区和所述第二漏区上同步形成所述自对准金属硅化物层。