[实用新型]一种硅片弯曲矫正机构和太阳能电池自动化生产设备有效
申请号: | 202120007880.0 | 申请日: | 2021-01-04 |
公开(公告)号: | CN214012913U | 公开(公告)日: | 2021-08-20 |
发明(设计)人: | 杜哲仁;刘海飞;张锐;陈嘉;林建伟 | 申请(专利权)人: | 泰州中来光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L31/18 |
代理公司: | 北京金之桥知识产权代理有限公司 11137 | 代理人: | 袁芳;耿璐璐 |
地址: | 225500 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 硅片 弯曲 矫正 机构 太阳能电池 自动化 生产 设备 | ||
一种硅片弯曲矫正机构和太阳能电池自动化生产设备,包括弯曲矫正组件和动力输出组件,所述弯曲矫正组件包括矫正端头,所述矫正端头上设置有允许将弯曲硅片插入其内的插槽,在所述动力输出组件的作用下,所述插槽的槽宽度逐渐缩小以对插入所述插槽内的弯曲硅片进行压迫从而实现对弯曲硅片的矫正。按照本实用新型提供的一种硅片弯曲矫正机构与现有技术相比具有如下优点:结构简单、适于与现有自动化生产线相结合、能耗低、矫正效率高。
技术领域
本实用新型涉及一种硅片弯曲矫正机构和太阳能电池自动化生产设备。
背景技术
目前,硅片是生产太阳能电池的基础性原材料,在过去的几年里,为适应越来越先进的生产工艺、同时也为降低太阳能电池的生产成本,出厂的硅片厚度从200微米左右降低到180微米再到160微米,然而,薄硅片的使用也会给晶体硅太阳能电池的生产带来很多问题,其中最为突出的就是,例如尤其在磷扩散工艺中经刻蚀和表面处理工序后,硅片产生弯曲形变而造成的弓片问题,弓片问题的出现容易造成碎片率升高、电池片加工精度降低。此外,业内现有的晶体硅太阳能电池自动化生产线一般都是针对正常硅片进行设计的,基本无法兼容存在弯曲的硅片。因此,为将发生弯曲形变的硅片进行矫正,不少生产厂家回溯到引起弓片的原因,希望通过温度变化的反向处理手段达到矫正硅片的目的。
例如,申请公开号为CN200810024438.8、题为晶体硅太阳能电池片弯曲片的矫正方法的中国发明申请,公开了:一种晶体硅太阳能电池片弯曲片的矫正方法,其步骤为:A、将待矫正的弯曲的晶体硅太阳能电池片密封包装,后置于 0℃以下的冷冻处理温度环境中冷冻;B、当弓片温度降低到0℃以下后,再将弓片置于10℃以上自然环境中;C、当晶体硅太阳能电池片温度自然恢复到室温且外包装干燥后,开启封装。所述冷冻处理温度为-10℃~-100℃之间。该发明所述技术方案通过将弯曲硅片置于低温下再置于自然环境中来达到矫正弯曲硅片的目的,工序繁琐、耗时久而且能耗很高,不利于加工生产。
再例如,授权公告号为CN201540899U、题为晶体硅太阳能电池弓片矫正装置的中国实用新型专利,公开了:由传输带、冷却室和干燥室组成;冷却室在其一对相对的面上设有冷却室弓片进口和冷却室弓片出口,干燥室在其一对相对的面上设有干燥室弓片进口和干燥室弓片出口;冷却室弓片进口、冷却室弓片出口、干燥室弓片进口和干燥室弓片出口位于同一水平面内同一直线上,传输带依次由冷却室弓片进口、冷却室弓片出口、干燥室弓片进口和干燥室弓片出口穿过;所述冷却室工作温度为0到-200摄氏度。该实用新型所述技术方案仍然利用了温度变化的原理对弯曲硅片进行矫正,所对应的弓片矫正装置需要设置冷却室和干燥室等特殊环境设备,装置整体造价高、耗能高、体积庞大、结构臃肿,不便于与现有的晶体硅太阳能电池自动化生产线相结合。
为了简化晶体硅太阳能电池的自动化生产线,将弓片处理装置与现有的自动化生产线紧密结合,在不重新定制或购买自动化生产线的基础上实现硅片矫正,使现有自动化生产线能够快速成批矫正弯曲硅片是我们追求的目的。
实用新型内容
针对现有技术的不足以及对现有自动化生产线的改进需求,本实用新型提供一种结构简单、适于与现有自动化生产线相结合、能耗低、矫正效率高的硅片弯曲矫正机构和太阳能电池自动化生产设备。
本实用新型主要采用如下技术方案:
一种硅片弯曲矫正机构,包括弯曲矫正组件和动力输出组件,所述弯曲矫正组件包括矫正端头,所述矫正端头上设置有允许将弯曲硅片插入其内的插槽,在所述动力输出组件的作用下,所述插槽的槽宽度逐渐缩小以对插入所述插槽内的弯曲硅片进行压迫从而实现对弯曲硅片的矫正。
其中,所述矫正端头具有叉齿结构。
其中,所述矫正端头包括至少两层上下相叠的矫正齿片,每层所述矫正齿片上具有至少一根齿条,至少两层所述矫正齿片上的所述齿条相互错开或者相互叠合以使弯曲硅片插入所述齿条之间的齿间隙,在所述动力输出组件的作用下,所述矫正齿片上的所述齿条发生前后相对移动。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造