[实用新型]一种LED芯片有效
| 申请号： | 202120009438.1 | 申请日： | 2021-01-05 |
| 公开（公告）号： | CN214313230U | 公开（公告）日： | 2021-09-28 |
| 发明（设计）人： | 臧雅姝;丘建生;蔡燕华;韩涛;郭明兴;朱华山 | 申请（专利权）人： | 厦门三安光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/38 | 分类号： | H01L33/38;H01L33/44 |
| 代理公司： | 北京汉之知识产权代理事务所(普通合伙) 11479 | 代理人： | 高园园 |
| 地址： | 361100 福建省厦门*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 led 芯片 | ||
1.一种LED芯片，其特征在于，所述LED芯片包括：
衬底；
外延层，形成在所述衬底的表面，所述外延层包括依次叠置的第一半导体层、有源层及第二半导体层，所述第一半导体层形成第一台面，所述第二半导体层和所述有源层形成高于所述第一台面的第二台面；
电极结构，所述电极结构包括形成在所述第一台面上的第一电极结构和形成在所述第二台面上的第二电极结构；
其中，所述电极结构的边缘区域具有至少一个台阶结构。
2.根据权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述LED芯片还包括绝缘保护层，所述绝缘保护层覆盖在所述电极结构的侧壁，以及所述第一台面、第二台面的表面。
3.根据权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述电极结构包括：
反射层，形成在所述外延层上方；
保护层，形成在所述反射层表面及至少部分侧壁上，包覆所述反射层；
焊接层，形成在所述保护层表面及至少部分侧壁上，包覆所述保护层。
4.根据权利要求3所述的LED芯片，其特征在于，电极结构在所述焊接层的边缘区域具有台阶结构。
5.根据权利要求4所述的LED芯片，其特征在于，所述台阶结构的宽度介于100nm～5000nm。
6.根据权利要求3所述的LED芯片，其特征在于，所述电极结构的边缘区域包括第一台阶结构和第二台阶结构，所述第一台阶结构形成在所述焊接层的边缘区域，所述第二台阶结构形成在所述保护层的边缘区域。
7.根据权利要求6所述的LED芯片，其特征在于，所述第一台阶结构和第二台阶结构的宽度介于100nm～5000nm。
8.根据权利要求3所述的LED芯片，其特征在于，所述反射层的反射率大于90％。
9.根据权利要求3所述的LED芯片，其特征在于，所述反射层的厚度介于50nm～500nm，所述反射层形成纵向截面为梯形的结构。
10.根据权利要求3所述的LED芯片，其特征在于，所述保护层形成纵向截面为梯形的结构。
11.根据权利要求3所述的LED芯片，其特征在于，所述焊接层形成纵向截面为梯形的结构。
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