[实用新型]光电二极管成像阵列的读出电路有效
申请号: | 202120023765.2 | 申请日: | 2021-01-06 |
公开(公告)号: | CN213637982U | 公开(公告)日: | 2021-07-06 |
发明(设计)人: | 朱程举;何海龙;赵必成 | 申请(专利权)人: | 成都善思微科技有限公司 |
主分类号: | H04N5/378 | 分类号: | H04N5/378;H04N5/357 |
代理公司: | 成都行之专利代理事务所(普通合伙) 51220 | 代理人: | 张超 |
地址: | 610000 四川省成都市中国(四川)自由贸易*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 光电二极管 成像 阵列 读出 电路 | ||
1.光电二极管成像阵列的读出电路,其特征在于,包括接入光电二极管阵列输出信号的多积分器通道,在每个积分器通道中,积分器输出依次串联采样保持电路、SUBADC、MUX开关,采样保持电路采样积分器输出,SUBADC将积分器输出粗量化产生高位数字输出信号,在MUX逻辑电路控制下,采样保持电路输出、SUBADC粗量化输出和残差放大器输入端连接,残差放大器输出接后级ADC;
每个积分器通道SUBADC输出的粗量化结果经过MUX开关的逻辑控制输出到残差放大器DAC,积分器的采样保持输出电压和残差放大器DAC输出电压之差被残差放大器放大,放大后的残余电压信号接入后级ADC输出残余电压数字信号,残余电压数字信号为低位数字输出信号,高位数字输出信号和低位数字输出信号组合为读出电路的ADC输出信号。
2.根据权利要求1所述的光电二极管成像阵列的读出电路,其特征在于,采样保持电路包括采样开关SW1、采样开关SW2和采样开关SWs、采样电容CSp和采样电容CSn,采样电容CSn采样积分器通道内的复位电压,采样电容CSp采样积分器通道内的信号电压,同时积分器通道内的复位电压与信号电压之差接入SUBADC进行粗量化处理;
其中,在采样开关SW1为高电平时,SWs和SW1开启,SW2断开,采样电容CSn采样积分器通道内的复位电压,在采样开关SW2为高电平时,SWs和SW2开启,SW1断开,采样电容CSp采样积分器通道内的信号电压,在SW1和SW2均为高电平时,SUBADC对复位电压和信号电压采样,并将复位电压和信号电压之差转换成数字信号,SUBADC进行粗量化处理结果为高位数字输出信号。
3.根据权利要求1所述的光电二极管成像阵列的读出电路,其特征在于,还包括ADC_CLK,ADC_CLK用于MUX开关的逻辑控制,在ADC_CLK的高电平,SUBADC的高位数字输出与残差放大器DAC连接,同时后级ADC将上一次的残差放大器输出结果转换成数字信号;在ADC_CLK的低电平,积分器的采样保持电压和残差放大器DAC电压之差被残差放大器放大输出,并且被后级ADC采样。
4.根据权利要求1所述的光电二极管成像阵列的读出电路,其特征在于,所述残差放大器DAC包括DACP、DACN、残差放大器OP和反馈电容Cf;
DACP和DACN构成差分DAC,SUBADC输出经过MUX开关和DAC输入端连接,残差放大器OP和反馈电容Cf用于将积分器的采样保持电压和差分DAC的输出电压相减得到的残余电压进行放大输出;
所述得到的残余电压进行放大输出信号接入后级ADC得到低位数字输出信号。
5.根据权利要求1所述的光电二极管成像阵列的读出电路,其特征在于,所述SUBADC的位数为3位或4位或5位。
6.根据权利要求1所述的光电二极管成像阵列的读出电路,其特征在于,所述SUBADC的结构包括SAR ADC结构。
7.根据权利要求1所述的光电二极管成像阵列的读出电路,其特征在于,所述后级ADC包括SAR ADC。
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