[实用新型]一种晶圆片腐蚀装置有效
申请号: | 202120028264.3 | 申请日: | 2021-01-07 |
公开(公告)号: | CN213905296U | 公开(公告)日: | 2021-08-06 |
发明(设计)人: | 刘姣龙;刘建伟;刘园;武卫;由佰玲;裴坤羽;孙晨光;王彦君;祝斌;常雪岩;杨春雪;谢艳;袁祥龙;张宏杰;刘秒;吕莹;徐荣清 | 申请(专利权)人: | 天津中环领先材料技术有限公司;中环领先半导体材料有限公司 |
主分类号: | H01L21/306 | 分类号: | H01L21/306;H01L21/67 |
代理公司: | 天津诺德知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 12213 | 代理人: | 栾志超 |
地址: | 300384 天津市滨海*** | 国省代码: | 天津;12 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 晶圆片 腐蚀 装置 | ||
1.一种晶圆片腐蚀装置,其特征在于,包括:
设有药液的槽体;
和用于承载晶圆片的调整机构;
所述调整机构沿所述槽体长度方向并贯穿所述槽体设置;
所述调整机构可控制所述晶圆片原地同心旋转以调整所述晶圆片上V型槽的朝向位置,从而控制所述晶圆片进入所述槽体内和被提取时的状态,使先进入所述槽体中的所述晶圆片的部位被先取出。
2.根据权利要求1所述的一种晶圆片腐蚀装置,其特征在于,所述调整机构包括:
若干间隙设置的调整杆;
和用于控制所述调整杆旋转的驱动源;
在所述调整杆上设有若干用于放置所述晶圆片的卡槽,所述卡槽绕设于所述调整杆外壁面设置;
所述驱动源被置于所述槽体外侧并与所述调整杆的其中一端连接,所述驱动源控制所有所述调整杆同步旋转。
3.根据权利要求2所述的一种晶圆片腐蚀装置,其特征在于,每个所述调整杆配设有一个所述驱动源,且所有所述驱动源均同侧设置。
4.根据权利要求2或3所述的一种晶圆片腐蚀装置,其特征在于,所述调整杆的数量至少有三个,所述调整杆与所述晶圆片接触的其中一个连接点位于所述晶圆片的最低端,另外两个连接点同高设置并分别位于所述晶圆片的水平直径两端。
5.根据权利要求4所述的一种晶圆片腐蚀装置,其特征在于,在所述槽体内部设有加热器,所述加热器位于所述槽体底部且位于所述调整杆下方。
6.根据权利要求5所述的一种晶圆片腐蚀装置,其特征在于,在所述槽体侧壁设有用于测量所述药液温度的温度传感器。
7.根据权利要求2-3、5-6任一项所述的一种晶圆片腐蚀装置,其特征在于,在所述槽体内还设有用于鼓泡的氮气管,所述氮气管沿所述槽体长度方向对称设置在所述调整杆所围成的图形范围外,且位于所述晶圆片的下方。
8.根据权利要求7所述的一种晶圆片腐蚀装置,其特征在于,所述氮气管长度方向设有若干的排气孔,从所述排气孔排出的氮气朝远离所述晶圆片一侧斜向上喷射。
9.根据权利要求8所述的一种晶圆片腐蚀装置,其特征在于,从所述排气孔排出的氮气与所述晶圆片纵向轴线的夹角为35-45°。
10.根据权利要求1-3、5-6、8-9任一项所述的一种晶圆片腐蚀装置,其特征在于,还设有用于向所述槽体排所述药液的排液管,所述排液管靠近所述槽体一侧设有电磁阀。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造