[实用新型]一种晶圆片研磨装置

说明书

本实用新型提供一种晶圆片研磨装置，包括：若干用于放置晶圆片的研磨台；用于对所述晶圆片的上端面进行减薄的磨盘；以及用于刷洗所述研磨台和所述晶圆片研磨面的清洗组件；其中，所有所述研磨台均被设于同一个圆台面上，所述圆台面和所述研磨台不同步旋转；所述磨盘与所述晶圆片交叉叠放设置，并被置于所述圆台面远离所述清洗组件一侧设置。本实用新型设计的研磨装置，结构简单且设计合理，配合精度高，研磨厚度可控且一致性好，研磨质量好且良品率高，设备利用率高。

技术领域

本实用新型属于半导体硅片加工辅助设备技术领域，尤其是涉及一种晶圆片研磨装置。

背景技术

现有晶圆片减薄过程中，由于研磨装置结构设计不合理，导致研磨后的晶圆片表面划伤较多，同时由于磨损后的研磨颗粒经常被粘附在晶圆片与研磨台之间，在减薄过程中磨盘上的磨粒被磨掉，容易容易被附在磨盘面上，导致在晶圆片表面容易出现划伤或损裂，废品率较高，生产成本较大。

实用新型内容

本实用新型提供一种晶圆片研磨装置，解决了现有技术中研磨后获得的晶圆片的质量不合格、废品率较高的技术问题。

为解决上述技术问题，本实用新型采用的技术方案是：

一种晶圆片研磨装置，包括：

若干用于放置晶圆片的研磨台；

用于对所述晶圆片的上端面进行减薄的磨盘；

以及用于刷洗所述研磨台和所述晶圆片研磨面的清洗组件；

其中，所有所述研磨台均被设于同一个圆台面上，所述圆台面和所述研磨台不同步旋转；

所述磨盘与所述晶圆片交叉叠放设置，并被置于所述圆台面远离所述清洗组件一侧设置。

进一步的，所述研磨台被设置于所述圆台面的半径上，且沿所述圆台面圆周均匀分布；所述研磨台直径大于所述晶圆片直径。

进一步的，所述磨盘为环形结构，并与所述晶圆片的半径接触；且其与所述晶圆片接触的一面为连续的环形平面或齿形的环形平面。

进一步的，所述磨盘的直径大于所述晶圆片直径的3/4且小于所述晶圆片直径。

进一步的，所述磨盘和所述清洗组件的中线都与所述圆台面的中心线重叠设置；与所述磨盘配合的所述研磨台相对于所述圆台面的中心轴线倾斜设置。

进一步的，与所述磨盘配合的所述研磨台的上方设有用于监控所述晶圆片厚度的测厚仪，所述测厚仪与所述磨盘错位设置。

进一步的，所述清洗组件被置于所述圆台面的上方，包括对所述研磨台清洗的清洗件一和对所述晶圆片被研磨面清洗的清洗件二，所述清洗件一和所述清洗件二独立设置在所述圆台面中心轴线两侧。

进一步的，所述清洗件一和所述清洗件二均可沿垂直于所述圆台面高度方向上下移动，并分别与所述研磨台直径和所述晶圆片半径接触清洗。

进一步的，所述清洗件一最大宽度不小于所述研磨台直径；所述清洗件一包括一个清洗刷头或若干个并排设置的清洗刷头。

进一步的，所述清洗件二的最大宽度不小于所述晶圆片半径；所述清洗件二包括一个清洗刷头或若干个并排设置的清洗刷头。

采用本实用新型设计的研磨装置，结构简单且设计合理，配合精度高，研磨厚度可控且一致性好，研磨质量好且良品率高，设备利用率高。研磨装置不仅对定位后的晶圆片的厚度进行研磨减薄外，而且还可分别对放置晶圆片的研磨台和研磨后的晶圆片的研磨面进行清洗，及时去除研磨台和晶圆片的研磨面上残留的研磨颗粒杂质，以保证晶圆片的非研磨面与晶圆片接触时的平整度，从而保证晶圆片的两侧表面质量，防止划伤或隐裂，减小碎品率。