[实用新型]一种Mini LED芯片结构

说明书

本实用新型提供了一种Mini LED芯片结构，包括衬底层及沿着远离衬底层的方向依次排列的外延层、发光区、电流扩展层、电极、布拉格反射层及芯片管脚；布拉格反射层在与芯片管脚对应的位置设置有通孔使得电流能够流入电极扩展条；电极靠近所述电流扩展层的一端包括铬，电极靠近所述布拉格反射层的一端包括金；芯片管脚远离所述衬底层的一端包括镍；在芯片管脚远离衬底层的一端及在倒装过程中进行焊接的一端设置镍，并且在电极靠近电流扩展层的一端设置铬，镍能投增强与焊锡的结合力，铬能够增强电极与电流扩展层之间的结合力，使得Mini LED芯片在焊接过程中与基板的结合更加紧密稳固，提高Mini LED芯片的稳定性，且易于进行焊接操作。

技术领域

本实用新型涉及LED芯片领域，尤其涉及一种Mini LED芯片结构。

背景技术

从工艺路线的角度看，目前的Mini LED芯片全部采用了倒装芯片结构，因为采用倒装芯片结构无需在芯片上打线，适合LED芯片需要在超小空间内紧密排布的需求，并且倒装芯片结构适合多种材质的封装基板，因此其可靠性也明显提高，能够降低终端产品使用的维护成本，因此在实际制作过程中，倒装工艺的控制极为重要，同时在芯片尺寸较小的情况下，焊接面的平整度、电极结构的设计、易焊接性以及对焊接参数的适应性、封装宽容度都是其设计的难点与重点。

实用新型内容

本实用新型所要解决的技术问题是：提供一种Mini LED芯片结构，使得在小尺寸下易于进行倒装工艺。

为了解决上述技术问题，本实用新型采用的技术方案为：

一种Mini LED芯片结构，包括衬底层及由靠近所述衬底层至远离所述衬底层依次排列的外延层、发光区、电流扩展层、电极、布拉格反射层及芯片管脚；

所述所述布拉格反射层在与所述芯片管脚对应的位置设置有通孔使得电流能够流入所述电极扩展条；

所述电极靠近所述电流扩展层的一端包括铬，所述电极靠近所述布拉格反射层的一端包括金；

所述芯片管脚远离所述衬底层的一端包括镍。

进一步的，所述发光区包括正极发光区及负极发光区，所述正极发光区及所述负极发光区分别与所述电流扩展层连接。

进一步的，所述电流扩展层为氧化铟锡。

进一步的，所述外延层包括由靠近所述衬底层至远离所述衬底层依次排列的N型氮化镓层、量子阱层及P型氮化镓层。

进一步的，所述电极由靠近所述电流扩展层一端至靠近所述布拉格反射层一端依次包括铬、铝、钛、铂及金。

进一步的，所述电极为O字形，所述电极的中空部分与所述通孔的位置对应。

进一步的，所述芯片管脚包括由靠近所述衬底层至远离所述衬底层依次排列的铬、铝、钛、镍及金。

进一步的，所述发光区的边缘相对于所述电流扩展层的边缘更靠近所述衬底层的边缘。

进一步的，所述Mini LED芯片的尺寸为3×5mil。

本实用新型的有益效果在于：在芯片管脚远离衬底层的一端及在倒装过程中进行焊接的一端设置镍，并且在电极靠近电流扩展层的一端设置铬，镍能投增强与焊锡的结合力，铬能够增强电极与电流扩展层之间的结合力，使得Mini LED芯片在焊接过程中与基板的结合更加紧密稳固，提高Mini LED芯片的稳定性，且易于进行焊接操作。

附图说明

图1为本实用新型实施例的一种Mini LED芯片结构的主视图；

图2为本实用新型实施例的一种Mini LED芯片结构的俯视图；

标号说明：