[实用新型]一种介质滤波器、天线及基站

说明书

本实用新型公开了一种介质滤波器，天线及基站；介质滤波器包括介质本体，介质本体包括设有第一调频孔的第一谐振腔和设有第二调频孔的第二谐振腔；第一谐振腔和第二谐振腔间设有负耦合结构；第一调频孔与负耦合结构两者的距离为X₁；第二调频孔与负耦合结构两者的距离为X₂；负耦合结构底部到介质本体底部的距离Y＝A₁X₁+B₁X₂+Y₁，A₁为X₁改变大小时Y的变化速率常数，B₁为X₂改变大小时Y的变化速率常数，Y₁为负耦合结构底部到介质本体底部的初始距离。该介质滤波器能确保负耦合结构底部到介质滤波器底部的距离满足工艺加工要求，减少在压制过程中介质滤波器出现开裂，烧结变形开裂的现象。天线和基站均包括介质滤波器。

技术领域

本实用新型涉及一种介质滤波器，使用了所述介质滤波器的天线，以及使用了所述介质滤波器的基站。

背景技术

单块陶瓷介质滤波器在实现超高性频段能(例如5G、6G或以上)时，会减弱谐振器之间的负耦合，这就需要增加负耦合结构(所述负耦合结构呈孔状结构或槽状结构)的深度，或者在实现窄带带通介质波导滤波器性能(例如使介质波导滤波器通带带宽低于100MHz)时减弱了负耦合，而使负耦合结构的深度加深。在负耦合结构的深度加深到一定程度，负耦合结构底部到介质滤波器底部的距离(即肉厚)就低于工艺加工要求，所以在压制过程中，介质滤波器就容易出现开裂，烧结变形开裂等现象，产品可靠性就大大地降低了。

实用新型内容

为了克服现有技术的不足，本实用新型的第一个发明目的在于提供一种介质滤波器，其能够有效确保负耦合结构底部到介质滤波器底部的距离满足工艺加工要求，有效减少在压制过程中，介质滤波器出现开裂，烧结变形开裂的现象，有效地提高产品的可靠性；本实用新型的第二个发明目的在于提供一种使用了前述介质滤波器的天线；本实用新型的第三个发明目的在于提供一种使用了前述介质滤波器的基站。

为实现上述第一个发明目的，本实用新型所采用的技术方案如下：

一种介质滤波器，包括介质本体，所述介质本体包括第一谐振腔和第二谐振腔；所述第一谐振腔上设有第一调频孔，所述第二谐振腔上设有第二调频孔；所述第一谐振腔和第二谐振腔之间设有负耦合结构；所述第一调频孔与负耦合结构两者的距离为X₁；所述第二调频孔与负耦合结构两者的距离为X₂；所述负耦合结构底部到介质本体底部的距离Y＝A₁X₁+B₁X₂+Y₁，所述A₁为X₁改变大小时Y的变化速率常数，B₁为X₂改变大小时Y的变化速率常数，Y₁为负耦合结构底部到介质本体底部的初始距离。

进一步地，所述X₁和X₂沿横向方向改变大小且X₁＝X₂时，所述A₁+B₁＝0.288，所述Y₁＝0.6131。

进一步地，所述X₁和X₂沿纵向方向改变大小且X₁＝X₂时，所述A₁+B₁＝0.151，所述Y₁＝0.6117。