[实用新型]一种半导体封装

说明书

本实用新型涉及一种半导体封装。根据本实用新型的一实施例，一种半导体封装包含：半导体裸片，具有正表面、背表面和侧壁，所述背表面与所述正表面相对，且所述侧壁连接所述正表面和所述背表面；以及钝化层，其位于所述侧壁上，其中所述钝化层包含弧形轮廓，所述弧形轮廓的最薄部分邻近所述侧壁中部。

技术领域

本实用新型大体涉及半导体封装技术，尤其涉及包含侧壁钝化层保护的半导体裸片及其形成与分离技术。

背景技术

随着半导体技术的发展和集成度的不断提高，器件单元数量急剧增加且尺寸不断缩小，使得制造过程中产生的颗粒物杂质对封装制造的不利影响日益凸显。特别地，在半导体封装过程中，在裸片切割步骤中产生的颗粒(例如硅碎屑)会停留在切割道的切口区域，并在堆叠裸片时由黏胶膜上拿取单颗裸片(die ejection)的过程中发生松动，进而可能落在封装结构上邻近裸片的保护层(例如非导电膜(NCF)、非导电胶(NCP)、毛细底部填料(CUF)、模塑底部填充(MUF)等)表面上。

颗粒污染可能发生在各种非零键合线结构(Non-zero bond line structure)中，例如具有NCF、MUF、NCP等的封装结构，也可能发生在零(或接近零)键合线结构(Near-zerobond line structure)中，例如混合键合(Hybrid bonding)。尤其是，在混合键合的界面处，仅1μm的颗粒于键合过程中即可造成约100μm的空隙，这将不利地导致分层，并最终造成混合键合失效。不仅如此，颗粒还可能在半导体封装过程中撞击裸片形成微裂纹，从而不利地影响到内部电路层，这也会导致可靠性问题，并导致产品良率降低。此外，裸片的边缘在缺乏必要保护的情况下，无法有效阻止例如铜在内的污染物通过硅进行扩散。因此，颗粒污染逐渐成为导致开放性互连出现可靠性故障并导致产品良率降低的主要因素之一。

有鉴于此，本领域迫切需要提供改进方案以解决上述问题。

实用新型内容

有鉴于此，本公开提供了一种半导体封装，该半导体封装提出了包含侧壁钝化层保护的半导体裸片结构及其制备与使用方法。

根据本实用新型的一实施例，一种半导体封装包含：半导体裸片，具有正表面、背表面和侧壁，所述背表面与所述正表面相对，且所述侧壁连接所述正表面和所述背表面；以及钝化层，其位于所述侧壁上，其中所述钝化层包含弧形轮廓，所述弧形轮廓的最薄部分邻近所述侧壁中部。

根据本实用新型的又一实施例，半导体封装中的邻近所述侧壁的顶部或底部的所述钝化层的厚度大于邻近所述侧壁中部的所述钝化层的厚度。

根据本实用新型的另一实施例，半导体封装中的所述钝化层还包括邻近所述侧壁的所述顶部或所述底部的不规则轮廓。

根据本实用新型的另一实施例，半导体封装中的所述钝化层进一步覆盖所述半导体裸片的所述背表面。

根据本实用新型的另一实施例，半导体封装中的所述钝化层包括氮化物、氧化物、氮氧化物、硅酸盐或其组合。

根据本实用新型的另一实施例，半导体封装中的所述钝化层的最厚部分小于所述半导体裸片的厚度的十分之。

根据本实用新型的另一实施例，半导体封装中的所述半导体裸片的所述厚度在约10μm至约50μm范围内。

根据本实用新型的另一实施例，半导体封装进一步包含载板，所述载板通过电连接连接至所述半导体裸片。

根据本实用新型的另一实施例，半导体封装中的所述半导体裸片的所述正表面包含混合键合层。

根据本实用新型的另一实施例，半导体封装进一步包含通孔，所述通孔电连接所述半导体裸片的所述正表面和所述背表面。

本实用新型实施例的额外层面及优点将部分地在后续说明中描述、显示、或是经由本实用新型实施例的实施而阐释。

附图说明