[实用新型]一种用于测试大直径硅片背面金属含量的新型机械手

说明书

本实用新型提供一种用于测试大直径硅片背面金属含量的新型机械手，包括：机械手本体；翻转装置，设置在所述机械手本体上，控制所述机械手翻转；清洁装置，设置在所述机械手本体上，清洁所述机械手本体；吸附装置，设置在所述机械手本体上，吸附硅片。本实用新型的有益效果是有效的解决现有方法不可避免地引入外界杂质，尤其翻转过程会直接接触到硅片背面，可能会出现扫描液不能完全扫过整个硅片的情况，且硅片在环境、人员及操作过程中可能会引入金属离子，发生沾污硅片导致测量结果不准确的问题。

技术领域

本实用新型属于半导体材料测试领域，尤其是涉及一种用于测试大直径硅片背面金属含量的新型机械手。

背景技术

在集成电路发展中，随着单元图形几何尺寸的日益减小，污染物对器件的影响也越来越突出，在半导体生产过程中，硅片表面金属离子的污染可使二极管、晶体管性能变差，特别是在高温或电场下,它们能够向半导体的本体内扩散或在表面扩大分布,导致器件性能下降,产率降低，甚至有可能使整个器件完全失效。因此，分析测试硅片表面金属离子的含量对监控硅片表面的洁净度至关重要。

目前对半导体硅片金属污染的研究大部分都是对硅片正面进行金属杂质含量测试，以保证硅片正面在加工过程中的洁净度，比较容易忽视硅片背面金属对半导体器件生产过程中的影响，而背面金属杂质过多同样会影响到生产产品的良率，所以对硅片背面金属的监控同样重要。

对硅片背面金属测试中，多是使用手动化学气相分解(VPD)进行前处理且多为8英寸或以下尺寸的硅片，即操作人员使用真空吸笔吸取硅片正面，翻转后将一滴扫描液滴在硅片背面，通过倾斜硅片使扫描液扫过整片硅片后用取液枪将扫描液吸入ICP-MS进行测试，这种方法不可避免地引入外界杂质，尤其翻转过程会直接接触到硅片背面，且可能会出现扫描液不能完全扫过整个硅片的情况，从而影响测试结果。而对于12寸硅片，由于其表面积更大，故手动VPD过程相比8寸及以下硅片在环境、人员及操作过程中更有可能引入金属离子，发生沾污，另外手动VPD无法对整片硅片进行同等程度的扫描，因此无法获得理想的测试结果。

实用新型内容

本实用新型要解决的问题是提供一种用于测试大直径硅片背面金属含量的新型机械手，有效的解决现有方法不可避免地引入外界杂质，尤其翻转过程会直接接触到硅片背面，可能会出现扫描液不能完全扫过整个硅片的情况，且硅片在环境、人员及操作过程中可能会引入金属离子，发生沾污硅片导致测量结果不准确的问题。

为解决上述技术问题，本实用新型采用的技术方案是：一种用于测试大直径硅片背面金属含量的新型机械手，包括：机械手本体；翻转装置，设置在所述机械手本体上，控制所述机械手翻转；清洁装置，设置在所述机械手本体上，清洁所述机械手本体；吸附装置，设置在所述机械手本体上，吸附硅片。

优选地，所述翻转装置包括转动轴，设置在所述机械手本体的一端，控制所述机械手本体旋转。

优选地，所述翻转装置还包括旋转电机，设置在所述转动轴的一端，控制所述转动轴旋转。

优选地，所述机械手本体内部为空心结构，用于通过气体。

优选地，所述清洁装置包括喷气孔，设置在所述机械手本体上。

优选地，所述吸附装置包括吸盘，设置在所述机械手本体的前端，吸附所述硅片。