[实用新型]电子设备

权利要求书

1.一种电子设备，其特征在于，包括：

第一堆叠，形成齐纳二极管，所述第一堆叠包括第一导电类型的衬底，所述衬底具有在所述衬底中的第二导电类型的第一区域，所述第一区域具有与所述衬底的表面齐平的表面；

第二堆叠，形成二极管，所述第二堆叠位于所述衬底的所述表面上并且与所述衬底的所述表面接触，并且所述第二堆叠包括所述第二导电类型的第一层，所述第一层具有在所述第一层中的所述第一导电类型的第二区域，所述第二区域具有与所述第一层的表面齐平并且与所述第一堆叠相对的表面；以及

第三堆叠，至少包括由半绝缘多晶硅制成的第二层，所述第二层在所述第二堆叠上并且与所述第二堆叠接触。

2.根据权利要求1所述的电子设备，其特征在于，所述第三堆叠包括场氧化物的第三层，所述第三层在所述第二层上并且与所述第二层接触。

3.根据权利要求2所述的电子设备，其特征在于，所述第三层由未掺杂的硅酸盐玻璃制成。

4.根据权利要求2所述的电子设备，其特征在于，所述第三层由正硅酸四乙酯制成。

5.根据权利要求2所述的电子设备，其特征在于，所述第三层具有在从1μm至4μm的范围内的厚度。

6.根据权利要求2所述的电子设备，其特征在于，所述第三层具有2μm的厚度。

7.根据权利要求1所述的电子设备，其特征在于，所述第二层具有在从0.3μm至1μm的范围内的厚度。

8.根据权利要求1所述的电子设备，其特征在于，所述第二层具有0.8μm的厚度。

9.根据权利要求1所述的电子设备，其特征在于，所述第一层具有在从8μm至15μm的范围内的厚度。

10.根据权利要求1所述的电子设备，其特征在于，所述第一层具有12μm的厚度。

11.一种电子设备，其特征在于，包括：

衬底，具有第一导电类型，所述衬底具有第一表面；

齐纳二极管，包括第二导电类型的第一区域，所述第一区域从所述衬底的所述第一表面延伸到所述衬底中；

二极管，在所述齐纳二极管上，所述二极管包括：

所述第二导电类型的阴极层，在所述衬底的所述第一表面上并且与所述第一表面接触，所述阴极层具有与所述衬底的所述第一表面相对的第二表面；以及

所述第一导电类型的阳极层，从所述阴极层的所述第二表面延伸到所述阴极层中；以及

半绝缘多晶硅层，在所述二极管的所述阴极层和所述阳极层上，并且与所述阴极层和所述阳极层接触。

12.根据权利要求11所述的电子设备，其特征在于，还包括场氧化物的第三层，所述第三层在所述半绝缘多晶硅层上并且与所述半绝缘多晶硅层接触。

13.根据权利要求12所述的电子设备，其特征在于，所述第三层由未掺杂的硅酸盐玻璃制成。

14.根据权利要求12所述的电子设备，其特征在于，所述第三层由正硅酸四乙酯制成。

15.根据权利要求11所述的电子设备，其特征在于，还包括连接到所述阳极层的输入/输出焊盘。