[实用新型]半导体器件结构及电子设备有效
| 申请号： | 202120057731.5 | 申请日： | 2021-01-10 |
| 公开（公告）号： | CN213878088U | 公开（公告）日： | 2021-08-03 |
| 发明（设计）人： | 李学会;魏炜;刘诚;孙军;温正欣;和巍巍;汪之涵;傅俊寅 | 申请（专利权）人： | 深圳基本半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/07 | 分类号： | H01L25/07;H01L29/739;H01L29/861 |
| 代理公司： | 深圳睿臻知识产权代理事务所(普通合伙) 44684 | 代理人： | 张海燕 |
| 地址： | 518122 广东省深圳市坪山区坑梓街道办*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 结构 电子设备 | ||
【权利要求书】：
1.一种半导体器件结构，其特征在于，包括，绝缘栅双极型晶体管芯片和肖特基二极管芯片，所述绝缘栅双极型晶体管芯片和肖特基二极管芯片反并联合封设置。
2.如权利要求1所述的一种半导体器件结构，其特征在于，所述绝缘栅双极型晶体管芯片为硅基绝缘栅双极型晶体管芯片，所述肖特基二极管芯片为碳化硅肖特基二极管芯片。
3.如权利要求2所述的一种半导体器件结构，其特征在于，所述硅基绝缘栅双极型晶体管芯片发射极与所述碳化硅肖特基二极管芯片阳极分别通过第一导电线和第二导电线与发射极管脚相连，形成所述半导体器件结构的发射极；
所述硅基绝缘栅双极型晶体管芯片集电极与基板相连，形成所述半导体器件结构的集电极；所述硅基绝缘栅双极型晶体管芯片栅极通过第三导电线与栅极管脚相连形成所述半导体器件结构的栅极；
其中，所述碳化硅肖特基二极管芯片阴极与所述基板相连。
4.如权利要求3所述的一种半导体器件结构，其特征在于，所述第一导电线、所述第二导电线、所述第三导电线为铝线。
5.一种电子设备，其特征在于，包括如权利要求1至4任一项所述的半导体器件结构。
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