[实用新型]半导体波导耦合结构和半导体器件

说明书

本申请涉及一种半导体波导耦合结构和半导体器件，本申请的半导体波导耦合结构包括一种半导体波导耦合结构包括：功率本体和脊形成层，脊形成层设置在功率本体的上表面，脊形成层包括层本体以及设于层本体上的至少一个导电脊形波导和至少一个单模脊形波导；其中，一个导电脊形波导至少与一个单模脊形波导成相邻间隔设置，单模脊形波导的宽度小于导电脊形波导的宽度。本申请能够改善半导体波导耦合结构，提高输出功率。

技术领域

本申请涉及半导体的技术领域，具体而言，涉及一种半导体波导耦合结构和半导体器件。

背景技术

半导体器件(semiconductor device)是导电性介于良导电体与绝缘体之间，利用半导体材料特殊电特性来完成特定功能的电子器件，可用来产生、控制、接收、变换、放大信号和进行能量转换。

其中，单模器件要实现稳定的基横模工作，导电脊形波导必须足够窄，而窄的导电脊形波导条宽又极大的限制了输出功率，导电脊形波导的宽度和单模输出功率之间是巨大的矛盾，解决这个矛盾是提高单模器件输出功率的关键。

实用新型内容

本申请的目的是提供一种半导体波导耦合结构和半导体器件，其能够改善半导体波导耦合结构，提高输出功率。

为了实现上述目的，

第一方面，本实用新型提供一种半导体波导耦合结构，包括：功率本体和脊形成层，所述脊形成层设置在所述功率本体的上表面，所述脊形成层包括层本体以及设于所述层本体上的至少一个导电脊形波导和至少一个单模脊形波导；其中，一个所述导电脊形波导至少与一个所述单模脊形波导成相邻间隔设置，所述单模脊形波导的宽度小于所述导电脊形波导的宽度。

于一实施例中，所述半导体波导耦合结构还包括：第一欧姆接触层、第二欧姆接触层、电绝缘层和金属电极层，所述第一欧姆接触层设于所述导电脊形波导的上表面；所述第二欧姆接触层设于所述单模脊形波导的上表面；所述电绝缘层设于所述脊形成层的上表面和所述第二欧姆接触层的上表面；所述金属电极层设于所述电绝缘层的上表面和所述第一欧姆接触层的上表面。

于一实施例中，所述导电脊形波导和所述单模脊形波导各设有一个。

于一实施例中，所述单模脊形波导设有多个，且任一所述导电脊形波导的两侧各设有一个所述单模脊形波导。

于一实施例中，所述单模脊形波导和所述导电脊形波导均为等宽的条状结构；所述单模脊形波导的宽度为0.5～8μm；所述导电脊形波导的宽度为2～25μm。

于一实施例中，所述单模脊形波导和所述导电脊形波导均为等宽的条状结构；所述单模脊形波导的宽度为1～8μm；所述导电脊形波导的宽度为5～25μm。

于一实施例中，所述单模脊形波导和所述导电脊形波导均为变宽的条状结构；所述单模脊形波导的宽度为0.5～20μm；所述导电脊形波导的宽度为2～25μm。

于一实施例中，所述单模脊形波导和所述导电脊形波导均为变宽的条状结构；所述单模脊形波导的宽度为1.5～20μm；所述导电脊形波导的宽度为5～25μm。

于一实施例中，所述单模脊形波导的长度小于或者等于所述导电脊形波导的长度。

于一实施例中，相邻的所述单模脊形波导和所述导电脊形波导之间的间隔为0.1～10μm。

于一实施例中，相邻的所述单模脊形波导和所述导电脊形波导之间的间隔为1～10μm。

于一实施例中，所述功率本体包括：衬底、下限制层、量子阱和上限制层，所述下限制层设置在所述衬底上；所述量子阱设置在所述下限制层上；所述上限制层设置在所述量子阱上；所述脊形成层设置在所述上限制层上。