[实用新型]一种搭配EAS产品使用的全向性RFID标签

说明书

一种搭配EAS产品使用的全向性RFID标签。本实用新型涉及电子标签，尤其涉及一种搭配EAS产品使用的全向性RFID标签。本实用新型提供了一种基于EAS产品智能管理的便于调整的全向性超高频RFID标签，包括阻抗匹配环和天线辐射区，匹配环阻抗环开口内嵌在外围环内部，阻抗匹配环与天线辐射区进行电连接，天线辐射区带有多重弯折，辐射区线性方向与阻抗匹配环长边线型方向垂直，实现全向性，辐射区由多重弯折线构成，便于性能调整。

技术领域

本实用新型涉及电子标签，尤其涉及一种搭配EAS产品使用的全向性RFID标签。

背景技术

服装类EAS防盗产品属于近距离工作技术，对EAS产品本身目前一般采用人工管理模式。对服装产品同时进行EAS防盗和智能管理或者对EAS产品进行智能管理受到商家越来越多的关注。射频识别，RFID（Radio Frequency Identification）技术是一种通信技术，其中的超高频电子识别标签由于具有穿透性较强，抗恶劣环境，安全性、保密性强，可重复使用，数据的记忆容量大等优点而被广泛采用。为了节省成本以及满足不同角度对EAS产品智能管理的需求，需要设计便于调整可适用于EAS产品的全向性RFID标签。

实用新型内容

本实用新型针对以上问题，提供了一种适用于全频段范围内便于调整的搭配EAS产品使用的全向性RFID标签。

本实用新型的技术方案为：包括介质基板、设于所述介质基板上的RFID天线和与所述RFID天线连接的RFID芯片，

所述RFID天线包括凹字形阻抗匹配环和两个天线辐射区，所述阻抗匹配环具有一开口，所述开口位于阻抗匹配环的中间内凹处，所述RFID芯片与所述阻抗匹配环的开口两端电连接，

两个天线辐射区对称设置、且与阻抗匹配环的长边两端电连接。

所述天线辐射区所在的线性方向垂直于所述阻抗匹配环的长边方向。

所述天线辐射区所在的线性方向长度大于阻抗匹配环的长边长度。

所述天线辐射区由弯折线构成。

所述弯折线的折叠次数＞2，且近阻抗匹配环端第一弯折起点位置高于所述阻抗匹配环的宽度2mm以上。

所述阻抗匹配环的开口通过单次弯折内嵌，嵌入深度为2~5mm。

所述RFID天线的尺寸为33mm×40mm。

本实用新型提供了一种基于EAS产品智能管理的便于调整的全向性超高频RFID标签，包括阻抗匹配环和天线辐射区，匹配环阻抗环开口内嵌在外围环内部，阻抗匹配环与天线辐射区进行电连接，天线辐射区带有多重弯折，辐射区线性方向与阻抗匹配环长边线型方向垂直，实现全向性，辐射区由多重弯折线构成，便于性能调整。

附图说明

图1是本实用新型的结构示意图，

图中1是阻抗匹配环，2是天线辐射区，3是开口，4是第一弯折起点。

具体实施方式

本实用新型如图1所示，提供了一种便于性能调整的全向性RFID标签，采用对称结构设计，包括介质基板、RFID天线和RFID芯片，

该设计天线理论上属于对称偶极子天线，天线由凹字形阻抗匹配环1和天线辐射区2组成，阻抗匹配环上设有一开口3，且开口嵌入外围环内部。开口上通过导电胶绑定RFID芯片使得阻抗匹配环形成闭合环路；在与开口边平行的另一条长边两端与天线辐射区电连接。

阻抗匹配环的外围形状呈矩形，环路上设定的开口通过单弯折内嵌进外围环内2~5mm。外围环尺寸大小及绑定用开口内嵌深度均可调整标签性能。将绑定开口内嵌进外围环既可以调整标签性能，也使得后续贴附EAS产品时芯片能远离EAS工作的磁棒，有利于降低对标签造成的性能影响。