[实用新型]一种用于制备及检查晶圆抛光压力环的治具有效

专利信息
申请号: 202120091306.8 申请日: 2021-01-08
公开(公告)号: CN215240174U 公开(公告)日: 2021-12-21
发明(设计)人: 陆基益;郑伟;还胜钦;蔡雪良;李汉生;孙小兵;吕亚明 申请(专利权)人: 昆山中辰矽晶有限公司
主分类号: B24B41/06 分类号: B24B41/06;B24B29/02;B24B49/00
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 215316 江苏省*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 用于 制备 检查 抛光 压力
【说明书】:

实用新型提供一种用于制备及检查晶圆抛光压力环的治具,本装置包括一圆形底盘,在圆形底盘上标注刻度尺。本装置的圆形底盘用以放置需制备及检查的压力环,圆形底盘上的刻度尺用以精准检查压力环。本实用新型可以有效的改善,手工制作时,压力环上是否发生偏心的问题,使其定位更为精确。同时也可以用于检查使用过一段时间的压力环是否出现偏移的问题,从而减少硅晶片表面损伤,提高产品的良率。

技术领域

本实用新型与抛光制程工艺有关;具体设计一种用于制备及检查晶圆抛光压力环的治具。

背景技术

半导体硅晶片采用边缘抛光加工的目的是去除边缘表面的损伤层,以降低因在加工过程中碰撞而产生碎片的机会,从而使得硅片的边缘表面获得较低的表面粗糙度,故可降低微粒对表面的附着沾污。硅晶片的表面抛光是硅晶片加工的关键工序,其加工精度直接影响硅晶片的性能、合格率等技术指标。

在半导体硅晶片抛光制程加工工艺过程中,一般先将硅晶片贴片至陶瓷盘上,再将陶瓷盘与硅晶片抛光机压头连接,从而开始抛光制程。在抛光制程加工工艺时,由于硅晶片抛光机压头向下的压力作用,容易出现向下压力施力不均,比较集中与陶瓷盘的中心位置,从而造成陶瓷盘上硅晶片表面损伤及硅晶片边缘翘起,硅晶片平坦度劣化等问题。为了解决这一问题,所以在硅晶片抛光机的压头与陶瓷盘中间会放置一F压力环,压力环主要由粗抛垫及FRP 材质的圆形底片组成,硅晶片抛光时,通过调整压力环上的粗抛垫的尺寸,可以提升硅晶片在抛光制程后表面的平坦度。手工制作时,为了更好的使得压力环与硅晶片抛光机的压头更好的贴合,所以圆形底片选择了FRP材质,遇水产生较强的吸附能力,但同时会产生压力环上的粗抛垫容易在FRP底片偏心的问题,一旦压力环上粗抛垫与FRP底片的位置发生偏移,就会影响硅晶片抛光制程后产品的品质和良率。

实用新型内容

为了改善上述情况,本实用新型的目的在于提供一种用于制备及检查晶圆抛光压力环的治具,该治具有效改善制备并检查压力环上粗抛垫与FRP底片的位置,从而避免硅晶片在抛光制程后出现表面损伤和平坦度劣化的问题,提升硅晶片的良率。

本实用新型的目的可通过下列技术方案来实现:

一种用于制备及检查晶圆抛光压力环的治具,用于制备及检查压力环中组件的位置是否发生偏移,所述治具包括:有一圆形底盘,用以放置及检查压力环尺寸;圆形底盘上标注刻度尺,用以检查压力环组件的位置。

本实用新型所采用的技术方案:该治具具有一圆形底盘,根据压力环要求尺寸设置圆形底盘的尺寸。

本实用新型所采用的技术方案:该治具具有一圆形底盘,圆形底盘设置一圈高于圆形盘面的包边,用以固定及检查压力环的尺寸。

本实用新型所采用的技术方案:该治具有两个U型槽,可用以提放需制备及检查的压力环。

本实用新型所采用的技术方案:该治具具有标注刻度尺,刻度尺成十字型状态,用以制备及检查压力环组件的位置。

基于上述,本实用新型的优点与特点是使用本治具,可以有效改善,手工制作时,压力环上的粗抛垫在FRP底片偏心的问题。使其定位更为准确。同时也可以用于检查使用过一段时间的压力环是否存在粗抛垫偏移的问题。从而避免硅晶片在抛光制程后出现表面损伤和平坦度劣化的问题,提升硅晶片的良率。

附图说明

图1为本实用新型的平面结构示意图。

图2为本实用新型的侧视图。

图3为本实用新型中用来检查的压力环的平面结构示意图。

附图标号说明:

1 圆形底盘

2 U型槽

3 刻度尺

4 粗抛垫

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