[实用新型]一种适用于PECVD设备制备氧化层工艺的气路传输系统

说明书

一种适用于PECVD设备制备氧化层工艺的气路传输系统属于管式PECVD设备制备氧化层工艺设备技术领域。具体地说，本实用新型提供一种能在沉积基体上化学吸附并反应形成沉积膜，从而能制备出较薄且均匀性、一致性好的氧化层膜的适用于PECVD设备制备氧化层工艺的气路传输系统。本实用新型的特征在于：特气气路包括源管道、第一管道、第二管道、氮气管道和氧气管道。所述气源气路包括氮气气源、氧气气源和氩气气源。所述氮气气源通过特气气路的氮气管道与反应腔连接；所述氧气气源通过特气气路的氧气管道与反应腔连接；所述氩气气源通过特气气路的源管道与反应腔连接，反应腔末端为真空泵。

技术领域

本实用新型属于管式PECVD设备制备氧化层工艺设备技术领域。更具体地说，本实用新型涉及一种适用于PECVD设备制备氧化层工艺的气路传输系统。

背景技术

太阳能电池是一种具有光-电转换特性的半导体器件，它直接将太阳辐射能转换成直流电，是光伏收电的最基本单元，在太阳能收集转化过程中，太阳光照射到太阳能电池的硅片上，其中一部分太阳光会被反射，即使对将硅表面设计成绒面，虽然入射光会产生多次反射可以增加光的吸收率，但是，还是会有一部分的太阳光会被反射，据测算，光在硅表面的反射损失率高达35%左右，减反膜可以极高地提高电池片对太阳光的利用率，有助于提高光生电流密度，进而提高转换效率，同时薄膜中的氢对于电池片表面的钝化降低了发射结的表面复合速率，减小了暗电流，提升了开路电压，提高了光电转换效率；在烧穿工艺中的高温瞬时退火断裂了一些Si-H、N-H键，游离出来的H进一步加强了对电池的钝化。

随着太阳能电池的发展，展膜工艺越来越多，普通氧化层展膜工艺有笑气氧化，臭氧氧化和热氧。但传统氧化工艺展膜质量和均匀性都有缺陷，因为均匀性不好所以需要展膜厚度较大，影响电池片的成本和质量。有鉴于此，实有必要开发一种适用于PECVD设备制备氧化层工艺的气路传输系统，用以开发新的氧化层工艺。

发明内容

本实用新型就是针对上述问题，提供一种能在沉积基体上化学吸附并反应形成沉积膜，从而能制备出较薄且均匀性、一致性好的氧化层膜的适用于PECVD设备制备氧化层工艺的气路传输系统。

为了实现本实用新型的上述目的，本实用新型采用如下技术方案，本实用新型包括特气气路、气源气路、反应腔和液态源瓶，反应腔尾部设置有真空泵，其特征在于：

所述特气气路包括源管道、第一管道、第二管道、氮气管道和氧气管道。

所述气源气路包括氮气气源、氧气气源和氩气气源。

所述氮气气源通过特气气路的氮气管道与反应腔连接；所述氧气气源通过特气气路的氧气管道与反应腔连接；所述氩气气源通过特气气路的源管道与反应腔连接，反应腔末端为真空泵。

所述第一管道的进口与源管道连接，第一管道的出口与液态源瓶连接；第二管道的进口与液态源瓶连接，第二管道的出口与源管道连接；第一管道和第二管道与源管道的连接点之间设置有开闭阀；第一管道和第二管道上也设置有开闭阀。

作为本实用新型的一种优选方案，所述第一管道和第二管道之间设置具有开闭阀的连通管道，连通管道和第一管道的连接点前端与后端均设置有开闭阀；连通管道和第二管道的连接点前端与后端也均设置有开闭阀；第二管道位于两开闭阀之间设置有分支旁路，分支旁路上设置有开闭阀，分支旁路末端与真空泵相连。

本实用新型的有益效果：本实用新型通过鼓泡原理利用氩气对液体源液蒸汽进行推送，可使用开闭阀对氮气、氧气、氩气及携带源气体进行脉冲控制，通过将气相前驱体脉冲交替地通入反应室，在沉积基体上化学吸附并反应形成沉积膜从而制备较薄并均匀性一致性较好的氧化层膜。

本实用新型通过设置分支旁路，配合连通管道和真空泵，可实现惰性气体对第一管道、第二管道和源管道的吹扫，惰性气体不经过反应腔，效率高，不会影响后续工艺流程。

附图说明

图1是本实用新型的结构示意图。