[实用新型]集成IPD技术封装的滤波器有效
| 申请号： | 202120112851.0 | 申请日： | 2021-01-15 |
| 公开（公告）号： | CN214045585U | 公开（公告）日： | 2021-08-24 |
| 发明（设计）人： | 高安明;姜伟 | 申请（专利权）人： | 浙江信唐智芯科技有限公司 |
| 主分类号： | H03H9/46 | 分类号： | H03H9/46;H03H3/007 |
| 代理公司： | 上海段和段律师事务所 31334 | 代理人： | 李佳俊;郭国中 |
| 地址： | 325024 浙江省温州市龙湾区永中街道温*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 集成 ipd 技术 封装 滤波器 | ||
1.一种集成IPD技术封装的滤波器，其特征在于，包括：体声波谐振器区域、盖板区域；
所述体声波谐振器区域设置于集成IPD技术封装的滤波器的上半部分；
所述盖板区域设置于下半部分；
所述盖板区域包括：集总元件；
所述体声波谐振器区域包括：硅衬底、体声波谐振器；
所述体声波谐振器设置于硅衬底上。
2.根据权利要求1所述的集成IPD技术封装的滤波器，其特征在于，所述体声波谐振器采用以下任意一种或者多种结构：
-硅反面刻蚀结构；
-空隙结构；
-布拉格反射层结构。
3.根据权利要求1所述的集成IPD技术封装的滤波器，其特征在于，所述集总元件采用利用IPD技术加工的集总元件。
4.根据权利要求3所述的集成IPD技术封装的滤波器，其特征在于，所述集总元件包括：电容、电感；
所述集总元件通过IPD技术集成在硅衬底表面的氧化硅层中。
5.根据权利要求1所述的集成IPD技术封装的滤波器，其特征在于，所述体声波谐振器区域、盖板区域通过铜柱进行连接。
6.根据权利要求1所述的集成IPD技术封装的滤波器，其特征在于，所述盖板区域包括：IPD盖板；
所述IPD盖板能够与体声波谐振器所在芯片进行键合。
7.根据权利要求1所述的集成IPD技术封装的滤波器，其特征在于，所述体声波谐振器区域的输入端和体声波谐振器区域的输出端通过两个金属过孔延伸到IPD盖板的上表面。
8.根据权利要求1所述的集成IPD技术封装的滤波器，其特征在于，还包括：金属焊盘；
所述金属焊盘设置于IPD盖板的表面。
9.根据权利要求8所述的集成IPD技术封装的滤波器，其特征在于，还包括：金属焊盘；
所述金属焊盘的表面设置有一层锡。
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