[实用新型]一种开启功率MOS时的短路检测电路及芯片

权利要求书

1.一种开启功率MOS时的短路检测电路，其特征在于，该电路包括功率MOS、采样MOS及限流电阻；所述功率MOS的栅极与采样MOS的栅极连接，所述采样MOS连接所述限流电阻，所述功率MOS的输出连接负载电阻，所述限流电阻的电压与所述负载电阻的输出端电压连接到比较器的正负输入，所述比较器的输出接入控制电路，所述控制电路连接驱动电路，所述驱动电路连接所述功率MOS的栅极。

2.根据权利要求1所述的开启功率MOS时的短路检测电路，其特征在于，所述功率MOS与所述采样MOS均采用N沟道MOS管，所述功率MOS的漏极与所述采样MOS的漏极相连，所述功率MOS的源极连接所述负载电阻，所述采样MOS的源极连接所述限流电阻，所述限流电阻的电压与所述负载电阻的输出端电压连接到比较器的正负输入，所述比较器的输出接入控制电路，所述控制电路通过驱动电路调整功率MOS的开关状态。

3.根据权利要求2所述的开启功率MOS时的短路检测电路，其特征在于，所述功率MOS的源极作为输出端连接所述负载电阻的一端，所述负载电阻的另一端接地，所述采样MOS的源极连接所述限流电阻的一端，所述限流电阻的另一端接地，输入端连接电源，电源连接所述功率MOS的漏极与所述采样MOS的漏极。

4.根据权利要求1所述的开启功率MOS时的短路检测电路，其特征在于，所述功率MOS与所述采样MOS均采用P沟道MOS管，所述功率MOS的源极与所述采样MOS的源极相连，所述功率MOS的漏极连接所述负载电阻，所述采样MOS的漏极连接所述限流电阻，所述限流电阻的电压与所述负载电阻的输出端电压连接到比较器的正负输入，所述比较器的输出接入控制电路，所述控制电路通过驱动电路调整功率MOS的开关状态。

5.根据权利要求4所述的开启功率MOS时的短路检测电路，其特征在于，所述功率MOS的漏极作为输出端连接所述负载电阻的一端，所述负载电阻的另一端接地，所述采样MOS的漏极连接所述限流电阻的一端，所述限流电阻的另一端接地，输入端连接电源，电源连接所述功率MOS的源极与所述采样MOS的源极。

6.根据权利要求1所述的开启功率MOS时的短路检测电路，其特征在于，所述功率MOS与所述采样MOS均采用N沟道MOS管，所述功率MOS的源极与所述采样MOS的源极相连，所述功率MOS的漏极连接所述负载电阻，所述采样MOS的漏极连接所述限流电阻，所述限流电阻的电压与所述负载电阻的输出端电压连接到比较器的正负输入，所述比较器的输出接入控制电路，所述控制电路通过驱动电路调整功率MOS的开关状态。

7.根据权利要求6所述的开启功率MOS时的短路检测电路，其特征在于，所述功率MOS的漏极作为输出端连接所述负载电阻的一端，所述负载电阻的另一端接电源，所述采样MOS的漏极连接所述限流电阻的一端，所述限流电阻的另一端接所述电源，输入端连接地，所述功率MOS的源极与所述采样MOS的源极相连后接地。

8.一种芯片，其特征在于，该芯片采用权利要求1至7之一所述的开启功率MOS时的短路检测电路。