[实用新型]一种取晶吸嘴有效
申请号: | 202120135128.4 | 申请日: | 2021-01-18 |
公开(公告)号: | CN214933947U | 公开(公告)日: | 2021-11-30 |
发明(设计)人: | 向军;封浩;冯霞霞;王金磊 | 申请(专利权)人: | 江苏新智达新能源设备有限公司 |
主分类号: | B65G47/91 | 分类号: | B65G47/91 |
代理公司: | 南京中高专利代理有限公司 32333 | 代理人: | 陈章 |
地址: | 214000 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 取晶吸嘴 | ||
本实用新型提供了一种取晶吸嘴,包括吸嘴本体和设置在所述吸嘴本体上的吸嘴头,所述吸嘴本体包括有二个吸嘴分体,每个所述吸嘴分体包括横框架和竖框架,所述横框架的数量为二个,二个所述横框架相互间隔且平行对齐设置,所述竖框架固定设置在二个所述横框架的一端,若干个所述吸嘴头设置在所述横框架的底端面;二个所述吸嘴分体相对设置,每个所述吸嘴分体上的一个横框架插入另一个所述吸嘴分体上的二个横框架之间的间隔处。使用时将两个吸嘴分体分别安装在不同的操作臂上,操作臂可以根据需要控制两个吸嘴分体分离,进行低密度取晶操作,也可控制两个吸嘴分体相互插入对方的间隔处,进而进行高密度取晶操作,具有较强的实用性。
技术领域
本实用新型涉及半导体封装领域,尤其涉及一种取晶吸嘴。
背景技术
在半导体的封装工序中,需要通过取晶吸嘴从蓝膜上摘取晶元以便进行固晶操作,现有技术中的取晶吸嘴一般为整体结构,无法同时应对高低密度的晶元取晶操作。
实用新型内容
本实用新型要解决的技术问题是现有技术中的取晶吸嘴一般为整体结构,无法同时应对高低密度的晶元取晶操作,本实用新型提供了一种取晶吸嘴来解决上述问题。
本实用新型解决其技术问题所采用的技术方案是:一种取晶吸嘴,包括吸嘴本体和设置在所述吸嘴本体上的吸嘴头,所述吸嘴本体包括有二个吸嘴分体,每个所述吸嘴分体包括横框架和竖框架,所述横框架的数量为二个,二个所述横框架相互间隔且平行对齐设置,所述竖框架固定设置在二个所述横框架的一端,若干个所述吸嘴头设置在所述横框架的底端面;二个所述吸嘴分体相对设置,每个所述吸嘴分体上的一个横框架插入另一个所述吸嘴分体上的二个横框架之间的间隔处。
进一步地:所述吸嘴头的结构为柱体结构,所述吸嘴头的底端设置有吸嘴孔,所述竖框架的外侧面上设置有连接孔,所述横框架、所述竖框架和所述吸嘴头中设置有将所述吸嘴孔和所述连接孔连通的气道。
进一步地:所述吸嘴头的横截面形状为矩形。
本实用新型的有益效果是,本实用新型一种取晶吸嘴通过设置分体结构的两个吸嘴分体,使用时,将两个吸嘴分体分别安装在不同的操作臂上,操作臂可以根据需要控制两个吸嘴分体分离,进行低密度取晶操作,也可控制两个吸嘴分体相互插入对方的间隔处,进而进行高密度取晶操作,具有较强的实用性。
附图说明
下面结合附图和实施例对本实用新型进一步说明。
图1是本实用新型一种取晶吸嘴的结构示意图;
图2是图1的仰视图;
图3是吸嘴分体的结构示意图;
图4是吸嘴分体的仰视图。
图中1、吸嘴头,2、吸嘴分体,3、横框架,4、竖框架,5、吸嘴孔,6、连接孔。
具体实施方式
下面详细描述本实用新型的实施例,所述实施例的示例在附图中示出,其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的,仅用于解释本实用新型,而不能理解为对本实用新型的限制。相反,本实用新型的实施例包括落入所附加权利要求书的精神和内涵范围内的所有变化、修改和等同物。
在本实用新型的描述中,需要理解的是,术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”“内”、“外”、“轴向”、“径向”、“周向”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系,仅是为了便于描述本发明和简化描述,而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此不能理解为对本发明的限制。
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