[实用新型]湿法清洗设备

说明书

本实用新型提供一种湿法清洗设备，所述湿法清洗设备包括去离子水清洗槽及过滤装置，所述过滤装置通过液体管路连接于去离子水供应源及所述去离子水清洗槽之间，用于将所述去离子水供应源供应的去离子水经过滤后输送至所述去离子水清洗槽。本实用新型的湿法清洗设备经改善的结构设计，在去离子水输送至清洗槽的液体管路上设置过滤装置以有效过滤去离子水中的金属颗粒等杂质，有助于提高湿法清洗品质。在进一步的示例中还设置两套过滤单元，一套在用一套备用，有利于提高设备的稳定性和设备产出率。

技术领域

本实用新型涉及半导体制造技术领域，特别是涉及一种湿法清洗设备。

背景技术

现有的半导体器件制作过程中，硅晶圆表面的金属不纯物的污染浓度有时甚至会高达10¹⁰atoms/cm²～10¹¹atoms/cm²(新品晶圆则在10⁸atoms/cm²以下)。这是由于还存在着诸如离子注入等高污染工艺。虽然由于新型设备不断被开发利用，这类工艺污染在逐渐减少，但仍足够导致器件性能的劣化。因而为防止因污染导致的器件性能劣化，需要通过清洗将晶圆表面的污染物浓度降到10⁸atoms/cm²以下。

去离子水清洗工艺的晶圆清洗方法是先在超纯水中清洗，然后用化学品去除晶圆表面的氧化膜和表面颗粒和金属不纯物后，再在超纯水中进行最终清洗。即，去离子水清洗工艺中，超纯水对清洗效果具有非常大的影响，因而从超纯水的制作、到供应管路的管理以及湿法清洗设备内的污染管理都是晶圆清洗品质管理中的重要内容。

与每次清洗一片晶圆的单片式清洗设备不同，批次型湿法清洗设备每次同时将25片或50片晶圆投入到清洗槽内进行清洗，因而超纯水的品质就更加重要。为控制晶圆表面的金属污染，清洗设备中使用的超纯水、化学品及供应管路都需要进行重点管理。但是现有技术中，对超纯水的质量管理仍然集中于在高纯水制作过程中的管理，超纯水制作完成后，通过输送管路直接输送至清洗槽。但是超纯水制作完成后，由于这样或那样的原因，可能被再次污染，比如因保管不善或是因供应管路的污染导致纯水中再次混入金属离子等杂质，导致清洗品质下降。

实用新型内容

鉴于以上所述现有技术的缺点，本实用新型的目的在于提供一种湿法清洗设备，用于解决现有的去离子水清洗工艺中，对超纯水的品质管理仅集中于其制作过程，超纯水因保管不善或因供应管路的污染等原因可能会再次混入金属离子等杂质，导致清洗品质下降等问题。

为实现上述目的及其他相关目的，本实用新型提供一种湿法清洗设备，所述湿法清洗设备包括去离子水清洗槽及过滤装置，所述过滤装置通过液体管路连接于去离子水供应源及所述去离子水清洗槽之间，用于将所述去离子水供应源供应的去离子水经过滤后输送至所述去离子水清洗槽。

可选地，所述过滤装置包括第一过滤单元及第二过滤单元，第一过滤单元和第二过滤单元通过不同的液体管路连接于所述去离子水供应源及所述去离子水清洗槽之间；所述第一过滤单元和第二过滤单元均包括离子交换过滤器，所述第一过滤单元及第二过滤单元两侧的液体管路上设置有控制阀，以通过开启不同液体管路上的控制阀，启用不同的过滤单元。

可选地，所述离子交换过滤器的过滤孔径为0.1～0.03um。

可选地，所述第一过滤单元及第二过滤单元两侧的液体管路上均设置有调压阀。

可选地，所述去离子水供应源与所述过滤装置之间的液体管路上设置有第一质量流量计。

可选地，所述过滤装置与所述去离子水清洗槽之间的液体管路上设置有第二质量流量计。

可选地，所述湿法清洗设备还包括回收装置，所述回收装置与所述过滤装置的排液口相连接。

可选地，所述液体管路和去离子水清洗槽的材质均包括PVC、PTFE、PVF、PEEK及Quartz中的任意一种。