[实用新型]边缘刻蚀设备有效
申请号: | 202120140290.5 | 申请日: | 2021-01-19 |
公开(公告)号: | CN213958925U | 公开(公告)日: | 2021-08-13 |
发明(设计)人: | 吴镐硕;朴灵绪 | 申请(专利权)人: | 苏州恩腾半导体科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人: | 余明伟 |
地址: | 215024 江苏省苏州市苏州工业园*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 边缘 刻蚀 设备 | ||
1.一种边缘刻蚀设备,其特征在于,包括设备腔体、一个氢氟酸刻蚀槽、至少两个去离子水清洗槽、干燥栈及晶圆移动装置;所述氢氟酸刻蚀槽、去离子水清洗槽、干燥栈及晶圆移动装置均位于所述设备腔体内,晶圆移动装置用于将在氢氟酸刻蚀槽内完成边缘刻蚀的晶圆移动到去离子水清洗槽中进行清洗,之后送到干燥栈进行干燥;所述氢氟酸刻蚀槽内设置有用于放置晶圆的第一载台及用于向晶圆边缘喷洒氢氟酸刻蚀液的液体喷嘴,干燥栈内设置有用于放置晶圆的第二载台。
2.根据权利要求1所述的边缘刻蚀设备,其特征在于,所述边缘刻蚀设备还包括第一旋转装置,与液体喷嘴和/或第一载台相连接。
3.根据权利要求1所述的边缘刻蚀设备,其特征在于,第一载台为卡盘,所述卡盘通过真空管路连接至真空泵,所述卡盘的表面积小于晶圆的表面积,使得当晶圆被吸附于所述卡盘的下方时,晶圆的待刻蚀边缘暴露在卡盘之外。
4.根据权利要求3所述的边缘刻蚀设备,其特征在于,所述去离子水清洗槽位于所述氢氟酸刻蚀槽的相对两侧。
5.根据权利要求3所述的边缘刻蚀设备,其特征在于,所述卡盘的表面设置有多个橡胶圈,晶圆吸附于橡胶圈的表面。
6.根据权利要求1所述的边缘刻蚀设备,其特征在于,所述氢氟酸刻蚀槽的刻蚀槽体底部呈漏斗状。
7.根据权利要求1所述的边缘刻蚀设备,其特征在于,所述干燥栈位于去离子水清洗槽的一侧,干燥栈内还设置有位于第二载台上方,用于向晶圆表面喷洒干燥气体的气体喷嘴。
8.根据权利要求1所述的边缘刻蚀设备,其特征在于,所述干燥栈及晶圆移动装置均为两个,两个干燥栈与两个去离子水清洗槽分别对应设置。
9.根据权利要求1所述的边缘刻蚀设备,其特征在于,所述干燥栈内设置有第二旋转装置,与第二载台相连接,用于驱动第二载台旋转以对晶圆进行旋转干燥。
10.根据权利要求1-9任一项所述的边缘刻蚀设备,其特征在于,所述边缘刻蚀设备还包括晶圆存储栈,位于所述设备腔体内,且与所述干燥栈相邻,所述晶圆移动装置还用于将待清洗的晶圆自晶圆存储栈传送至氢氟酸刻蚀槽,并将完成干燥的晶圆传送回晶圆存储栈。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造