[实用新型]掩膜版有效
| 申请号： | 202120143498.2 | 申请日： | 2021-01-19 |
| 公开（公告）号： | CN214427742U | 公开（公告）日： | 2021-10-19 |
| 发明（设计）人： | 吴维维;谢翔宇 | 申请（专利权）人： | 福建省晋华集成电路有限公司 |
| 主分类号： | G03F1/36 | 分类号： | G03F1/36 |
| 代理公司： | 北京聿宏知识产权代理有限公司 11372 | 代理人： | 吴大建;陈敏 |
| 地址： | 362200 福建省泉州*** | 国省代码： | 福建;35 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 掩膜版 | ||
1.一种掩膜版，其特征在于，包括至少一个沿第一预设方向的倾斜阶梯状图案；
其中，所述倾斜阶梯状图案包括分别位于所述倾斜阶梯状图案沿所述第一预设方向的两侧的第一阶梯状轮廓和第二阶梯状轮廓；
所述第一阶梯状轮廓包括多个第一直角拐点，所述第二阶梯状轮廓包括多个第二直角拐点；
所述倾斜阶梯状图案中，所述第一直角拐点和所述第二直角拐点交错设置。
2.根据权利要求1所述的掩膜版，其特征在于，所述倾斜阶梯状图案中，任意两个偶数位或任意两个奇数位的所述第一直角拐点之间的连线的延伸方向与所述第一预设方向相同；
所述倾斜阶梯状图案中，任意两个偶数位或任意两个奇数位的所述第二直角拐点之间的连线的延伸方向与所述第一预设方向相同。
3.根据权利要求1所述的掩膜版，其特征在于，所述第一阶梯状轮廓的各个台阶高度相同。
4.根据权利要求3所述的掩膜版，其特征在于，所述第二阶梯状轮廓的各个台阶高度相同。
5.根据权利要求4所述的掩膜版，其特征在于，所述第一阶梯状轮廓的台阶高度与所述第二阶梯状轮廓的台阶高度相同。
6.根据权利要求1所述的掩膜版，其特征在于，所述掩膜版中，所述倾斜阶梯状图案的数量为多个，且各个所述倾斜阶梯状图案彼此间隔且平行；
相邻两个所述倾斜阶梯状图案的所述第一阶梯状轮廓对齐设置。
7.根据权利要求1所述的掩膜版，其特征在于，所述掩膜版中，所述倾斜阶梯状图案的数量为多个，且各个所述倾斜阶梯状图案彼此间隔且平行；
相邻两个所述倾斜阶梯状图案的所述第一阶梯状轮廓交错设置。
8.根据权利要求7所述的掩膜版，其特征在于，各个所述倾斜阶梯状图案的所述第一阶梯状轮廓沿第二预设方向依次交错设置，且相邻两个所述倾斜阶梯状图案的所述第一阶梯状轮廓沿所述第二预设方向的交错距离相同。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于福建省晋华集成电路有限公司，未经福建省晋华集成电路有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202120143498.2/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种法律文书资料多功能收纳装置
- 下一篇：一种内置减振机构的缝纫机
- 同类专利
- 专利分类
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
