[实用新型]一种控制保护电路有效
申请号: | 202120144761.X | 申请日: | 2021-01-19 |
公开(公告)号: | CN214042043U | 公开(公告)日: | 2021-08-24 |
发明(设计)人: | 彭小波;漆光平;王博 | 申请(专利权)人: | 北京星际荣耀空间科技股份有限公司;北京星际荣耀科技有限责任公司 |
主分类号: | G05B9/03 | 分类号: | G05B9/03 |
代理公司: | 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250 | 代理人: | 李静玉 |
地址: | 100032 北京市西城*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 控制 保护 电路 | ||
本实用新型公开了一种控制保护电路,包括:四个受控开关和四个稳压二极管,第一受控开关的第一端连接输入端及第三受控开关的第一端,第一受控开关的第二端连接第二受控开关的第一端、第三受控开关的第二端及第四受控开关的第一端,第一受控开关的控制端连接第一稳压二极管;第二受控开关的第二端连接输出端及第四受控开关的第二端,第二受控开关的控制端连接第二稳压二极管;第三受控开关的控制端连接第三稳压二极管;第四受控开关的控制端连接第四稳压二极管。通过实施本实用新型,四个受控开关的第二端对控制端的电压为反向输入电压减去稳压二极管的反向耐压值,使得受控开关第二端对控制端的电压在耐压范围内,从而达到对四个受控开关的保护。
技术领域
本实用新型涉及电气系统设计领域,具体涉及一种控制保护电路。
背景技术
在现有的电气控制系统中,针对被控机构输出控制量,通常采用冗余的方式保证被控机构的正常工作。具体采用高电压4-MOS桥D极采样电路,高电压4-MOS桥中的4个MOS管以分时交叉导通或以主从热备份的方式工作。然而,当4个MOS管分时导通时,未导通得到MOS管的源极对栅极会承受较高的电压。因此,现有的电气控制电路的安全性差、可靠性底。
实用新型内容
有鉴于此,本实用新型实施例提供一种控制保护电路,以解决现有技术中电气控制电路安全性差、可靠性低的技术问题。
本实用新型提供的技术方案如下:
本实用新型实施例提供一种控制保护电路,包括:第一受控开关、第二受控开关、第三受控开关、第四受控开关、第一稳压二极管、第二稳压二极管、第三稳压二极管和第四稳压二极管,其中,所述第一受控开关的第一端连接输入端及所述第三受控开关的第一端,所述第一受控开关的第二端连接所述第二受控开关的第一端、所述第三受控开关的第二端及所述第四受控开关的第一端,所述第一受控开关的控制端连接所述第一稳压二极管的一端,所述第一稳压二极管的另一端接收输入的控制信号;所述第二受控开关的第二端连接输出端及所述第四受控开关的第二端,所述第二受控开关的控制端连接所述第二稳压二极管的一端,所述第二稳压二极管的另一端接收输入的控制信号;所述第三受控开关的控制端连接所述第三稳压二极管的一端,所述第三稳压二极管的另一端接收输入的控制信号;所述第四受控开关的控制端连接所述第四稳压二极管的一端,所述第四稳压二极管的另一端接收输入的控制信号。
可选地,所述第一受控开关、所述第二受控开关、所述第三受控开关和所述第四受控开关中的任意一个或多个为NMOS管。
可选地,所述第一受控开关的第一端为漏极,所述第一受控开关的第二端为源极;所述第二受控开关的第一端为漏极,所述第二受控开关的第二端为源极;所述第三受控开关的第一端为漏极,所述第三受控开关的第二端为源极;所述第四受控开关的第一端为漏极,所述第四受控开关的第二端为源极。
可选地,所述第一稳压二极管的一端为阴极,所述第一稳压二极管的另一端为阳极;所述第二稳压二极管的一端为阴极,所述第二稳压二极管的另一端为阳极;所述第三稳压二极管的一端为阴极,所述第三稳压二极管的另一端为阳极;所述第四稳压二极管的一端为阴极,所述第四稳压二极管的另一端为阳极。
可选地,该控制保护电路还包括:第一电阻、第二电阻、第三电阻及第四电阻,其中,所述第一电阻的一端连接所述第一受控开关的第二端,所述第一电阻的另一端连接所述第一受控开关的控制端;所述第二电阻的一端连接所述第二受控开关的第二端,所述第二电阻的另一端连接所述第二受控开关的控制端;所述第三电阻的一端连接所述第三受控开关的第二端,所述第三电阻的另一端连接所述第三受控开关的控制端;所述第四电阻的一端连接所述第四受控开关的第二端,所述第四电阻的另一端连接所述第四受控开关的控制端。
可选地,该控制保护电路还包括:第一驱动器、第二驱动器、第三驱动器及第四驱动器;所述第一驱动器的一端连接所述第一稳压二极管的另一端;所述第二驱动器的一端连接所述第二稳压二极管的另一端;所述第三驱动器的一端连接所述第三稳压二极管的另一端;所述第四驱动器的一端连接所述第四稳压二极管的另一端。
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