[实用新型]MOSFET门极串扰钳位电路及控制器

权利要求书

1.一种MOSFET门极串扰钳位电路，其特征在于，所述MOSFET门极串扰钳位电路包括：MOSFET驱动单元、抗扰单元及驱动芯片；其中，

所述MOSFET驱动单元的门极与所述驱动芯片的第一驱动端连接，所述抗扰单元的第一端与所述MOSFET驱动单元的门极连接，所述抗扰单元的第二端与所述驱动芯片的负压端或接地端连接；

所述抗扰单元，用于接收在MOSFET开关过程中引起的串扰电压；

所述驱动芯片，用于控制所述抗扰单元降低所述串扰电压。

2.如权利要求1所述的MOSFET门极串扰钳位电路，其特征在于，所述抗扰单元包括并联相接于所述门极与所述驱动芯片的负压端之间的泄流单元和钳位单元，所述驱动芯片控制所述泄流单元的通断，所述钳位单元接收并抑制所述MOSFET驱动单元的感性串扰电压和容性串扰电压。

3.如权利要求2所述的MOSFET门极串扰钳位电路，其特征在于，所述泄流单元包括第一二极管及MOS管，所述第一二极管的阳极和所述MOSFET驱动单元的门极连接，所述第一二极管的阴极和所述MOS管的漏极连接，所述MOS管的源极与所述驱动芯片的负压端连接，所述MOS管的门极与驱动芯片的第二驱动端连接。

4.如权利要求2或者3所述的MOSFET门极串扰钳位电路，其特征在于，所述钳位单元包括第一电阻和第二二极管，所述第一电阻的一端与所述MOSFET驱动单元的门极连接，所述第一电阻的另一端与所述第二二极管的阴极连接，所述第二二极管的阳极与所述驱动芯片的负压端连接。

5.如权利要求1所述的MOSFET门极串扰钳位电路，其特征在于，所述抗扰单元包括并联相接于所述门极与所述驱动芯片的接地端之间的泄流单元和钳位单元，所述驱动芯片控制所述泄流单元的通断，所述钳位单元接收并抑制所述MOSFET驱动单元的感性串扰电压和容性串扰电压。

6.如权利要求5所述的MOSFET门极串扰钳位电路，其特征在于，所述泄流单元包括第一二极管及MOS管，所述第一二极管的阳极和所述MOSFET驱动单元的门极连接，所述第一二极管的阴极和所述MOS管的漏极连接，所述MOS管的源极与所述驱动芯片的接地端连接，所述MOS管的门极与驱动芯片的第二驱动端连接。

7.如权利要求5或6所述的MOSFET门极串扰钳位电路，其特征在于，所述钳位单元包括第一电阻和第二二极管，所述第一电阻的一端与所述MOSFET驱动单元的门极连接，所述第一电阻的另一端与所述第二二极管的阴极连接，所述第二二极管的阳极与所述驱动芯片的接地端连接。

8.一种控制器，其特征在于，所述控制器包括如权利要求1至7任一项所述的MOSFET门极串扰钳位电路。