[实用新型]氮化镓半导体器件有效
| 申请号： | 202120156980.X | 申请日： | 2021-01-20 |
| 公开（公告）号： | CN214705857U | 公开（公告）日： | 2021-11-12 |
| 发明（设计）人： | 欧阳爵;张礼杰;张啸;谢文元 | 申请（专利权）人： | 英诺赛科（珠海）科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/311 | 分类号： | H01L21/311;H01L23/31 |
| 代理公司： | 珠海智专专利商标代理有限公司 44262 | 代理人： | 薛飞飞;黄国豪 |
| 地址： | 519000 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 氮化 半导体器件 | ||
【权利要求书】：
1.氮化镓半导体器件，其特征在于，包括介质层，所述介质层上开设有双角度形貌沟槽，所述双角度形貌沟槽包括第一底壁和侧壁，所述第一底壁与所述侧壁之间通过斜面连接，所述第一底壁与所述侧壁之间的夹角为第一夹角，所述第一底壁与所述斜面之间的夹角为第二夹角，所述第一夹角为直角或钝角，所述第二夹角为钝角，所述第二夹角大于所述第一夹角。
2.根据权利要求1所述的氮化镓半导体器件，其特征在于：
所述侧壁采用电感耦合等离子体刻蚀的方法形成。
3.根据权利要求1或2所述的氮化镓半导体器件，其特征在于：
所述第一底壁和所述斜面采用反应离子刻蚀的方法形成。
4.根据权利要求1或2所述的氮化镓半导体器件，其特征在于：
所述第一夹角大于或等于100度，所述第二夹角大于或等于135度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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