[实用新型]半导体器件

说明书

本公开提供一种半导体器件，包括有源区和位于所述有源区上方的下电极阵列；其中，所述下电极阵列包括若干间隔设置的下电极；设置于所述下电极周围的支撑结构；覆盖所述第一介电层表面并延伸至所述有源区边缘的上电极；其中，所述上电极在所述下电极阵列侧壁于所述支撑结构位置处形成上电极凸起；位于所述上电极凸起远离所述下电极阵列的一侧并延伸至所述第二介电层内部的第一接触孔；其中，所述第一接触孔的侧壁与所述上电极凸起接触。通过在下电极阵列的一侧形成第一接触孔(电容器接触孔)，深度大大增加，工艺难度降低，且该接触孔的侧壁与所述上电极凸起接触，接触面积增大，使得接触电阻减小，器件性能得到提升。

技术领域

本公开涉及半导体器件技术领域，具体涉及一种半导体器件。

背景技术

随着半导体技术的不断发展，对半导体集成电路中电容器的性能要求也越来越高，例如，需要在有限的面积内所形成的电容器可以具备更大的电容。一种解决方案为，通过增加电容器中的下电极的高度，以增大下电极和电容介质层之间的接触面积，从而使所形成的电容器具有较大的电容。

然而，随着下电极高度的增加，使得电容器上方的接触孔(浅孔)与外围区的接触孔(深孔)的深度差越来越大，深度差的增大，导致电容器接触孔和外围区接触孔的同步刻蚀工艺难度增大，不仅刻蚀过程中刻蚀选择比难以确定，而且刻蚀得到的电容器接触孔的孔径比外围接触孔的孔径小，电容器接触孔的孔径较小，会产生较大的接触电阻，影响电容器的性能。

实用新型内容

针对上述问题，本公开提供了一种半导体器件，解决了现有技术中电容器上方的接触孔太浅导致接触电阻较大的技术问题。

本公开提供一种半导体器件，包括：

有源区和位于所述有源区上方的下电极阵列；其中，所述下电极阵列包括若干间隔设置的下电极；

设置于所述下电极周围的支撑结构；

覆盖所述下电极表面、所述支撑结构表面并延伸至所述有源区边缘的第一介电层；

覆盖所述第一介电层表面并延伸至所述有源区边缘的上电极，以及覆盖所述上电极表面的第二介电层；其中，所述上电极在所述下电极阵列侧壁于所述支撑结构位置处形成上电极凸起；

位于所述上电极凸起远离所述下电极阵列的一侧并延伸至所述第二介电层内部的第一接触孔；其中，所述第一接触孔的侧壁与所述上电极凸起接触。

根据本公开的实施例，可选地，上述半导体器件中，所述第一接触孔的侧壁位于所述上电极凸起内部。

根据本公开的实施例，可选地，上述半导体器件中，所述第一接触孔贯穿所述第二介电层，且所述第一接触孔的底部与其下方的所述上电极接触。

根据本公开的实施例，可选地，上述半导体器件中，所述第一接触孔贯穿所述第二介电层以及所述第一接触孔下方的所述上电极。

根据本公开的实施例，可选地，上述半导体器件中，所述支撑结构包括位于所述下电极顶部位置的顶部支撑结构和至少一个位于所述下电极中间位置的中间支撑结构。

根据本公开的实施例，可选地，上述半导体器件中，所述上电极包括：

覆盖所述第一介电层表面的上电极接触层；

覆盖所述上电极接触层表面的上电极填充层；

覆盖所述上电极填充层表面的上电极连接层。

根据本公开的实施例，可选地，上述半导体器件中，所述第二介电层包括填充于所述上电极凸起远离所述下电极阵列的一侧的第一子介电层，以及覆盖所述下电极阵列上方的所述上电极表面和所述第一子介电层表面的第二子介电层。

根据本公开的实施例，可选地，上述半导体器件中，所述第一子介电层的表面与所述下电极阵列上方的所述上电极表面相平齐。