[实用新型]一种ALD加工设备

说明书

本实用新型涉及一种ALD加工设备。加工设备的反应器包括真空腔室以及内置于真空腔室内的反应腔室，反应腔室的底部开设有相对设置的进气通道及出气通道，反应腔室的侧壁上设置有第一料口，真空腔室的侧壁上设置有第二料口，送料腔室设置在反应器的外侧，送料腔室的侧面上设置有第三料口和第四料口，第三料口和第二料口之间设置有可开启的第三密封门，送料腔室上设置有可将第四料口开闭的第四密封门，输送装置设置在送料腔室内，输送装置包括输送机构、第一密封门以及第二密封门，第一密封门可密封第一料口，第二密封门可密封第二料口，第一密封门背向第二密封门的侧面上设置有用于放置基体的支撑件。本实用新型保证沉积膜的成型质量和一致性。

技术领域

本实用新型涉及半导体纳米薄膜沉积技术领域，特别涉及一种ALD加工设备。

背景技术

随着IC复杂程度的不断提高，按照著名的摩尔定律和国际半导体行业协会公布的国际半导体技术发展路线图，硅基半导体集成电路中金属-氧化物-半导体场效应晶体管器件的特征尺寸将达到纳米尺度。原子层沉积(Atomic Layer Deposition，ALD)具有优异的三维共形性、大面积的均匀性和精确的亚单层膜厚控制等特点，受到微电子行业和纳米科技领域的青睐。

现有技术中，原子层沉积加工的技术方案为：将基体放置在一个密封的反应器中，再通过将气相前驱体源交替地通入反应器，以在基体上化学吸附并反应形成沉积膜。

在实现本实用新型的技术方案中，申请人发现现有技术中至少存在以下不足：

现有技术中将气相前驱体源交替脉冲地通入反应器的技术方案，难以保证前驱体源对整个基体全面覆盖，容易形成针孔等缺陷，造成前驱体源与基体接触不均匀，导致沉积膜的均匀性差，质量难以保证，同时由于反应不全，前驱体源的大量充入，会造成前驱体源大量残余，成膜效率低，周期长，并且造成前驱体源的浪费。

因此，需对现有技术进行改进。

实用新型内容

本实用新型提供一种ALD加工设备以及加工方法，解决了或部分解决了现有技术中沉积膜的均匀性差，质量难以保证，且成膜效率低，周期长，造成前驱体源的浪费的技术问题。

本实用新型的技术方案为：

一方面，本实用新型提供了一种ALD加工设备，所述加工设备包括反应器、送料腔室以及输送装置，其中：

所述反应器包括真空腔室以及反应腔室，所述反应腔室内置于所述真空腔室内，所述反应腔室的底部开设有进气通道及出气通道，所述进气通道和所述出气通道以所述反应腔室的底部的中心线相对设置，所述反应腔室的侧壁上设置有第一料口，所述真空腔室的侧壁上设置有第二料口，所述第一料口和所述第二料口位于所述反应器的同一侧；

所述送料腔室设置在所述反应器的外侧，所述送料腔室的侧面上设置有第三料口和第四料口，所述第三料口和所述第二料口连通，所述第三料口和所述第二料口之间设置有可开启的第三密封门，所述送料腔室上设置有可将所述第四料口开闭的第四密封门；

所述输送装置设置在所述送料腔室内，所述输送装置包括输送机构、第一密封门以及第二密封门，通过操作所述输送机构，可推送所述第一密封门以及所述第二密封门移动，以使所述第一密封门以及所述第二密封门穿过所述第三料口，并使所述第一密封门密封所述第一料口，所述第二密封门密封所述第二料口，所述第一密封门背向所述第二密封门的侧面上设置有用于放置基体的支撑件。

进一步地，所述进气通道为孔状，所述进气通道设置有多个，多个所述进气通道设置在所述反应腔室的底部的一侧；

所述出气通道为孔状，所述出气通道也设置有多个，多个所述出气通道设置在所述反应腔室的底部的另一侧。

更进一步地，所述进气通道设置有多组，多组所述进气通道依次设置，每组所述进气通道均呈弧形，每组所述进气通道的各个进气通道的孔径向靠近所述反应腔室的底部的中心线的方向依次减小；