[实用新型]一种处理含氟清洗废水的污水处理池

说明书

本实用新型公开了一种处理含氟清洗废水的污水处理池，包括格栅池、集水池、调节水池、pH调节池、除氟反应池一、除氟反应池二、混凝反应池、助凝反应池、澄清池、中间水池、石英砂过滤池、活性炭过滤池、清水池，所述除氟反应池一用于使含氟清洗废水与氯化钙药剂充分混合，使污水中氟化物形成氟化钙的固体沉淀物；所述除氟反应池二用于投加氢氧化钙使在除氟反应池一中含氟清洗废水中氟化物与氯化钙形成的含氟固体沉淀物得以吸附在氢氧化钙表面并沉淀。本实用新型采用多级沉淀使含氟清洗废水中的氟化物形成氟化钙的固体沉淀物，以提高除氟效果。

技术领域

本实用新型涉及污水处理技术领域，具体涉及一种处理含氟清洗废水的污水处理池。

背景技术

随着半导体技术的不断发展，对半导体原料—晶圆的需求量也越来越大。为降低成本常采用晶圆再生技术，所谓的晶圆再生就是将用过的挡片、控片回收，通过投加氢氟酸、双氧水、硝酸、氟化铵等药剂经过化学浸泡、超声清洗、物理研磨等处理方法将挡片、控片表面的有机污垢、氧化膜、金属颗粒残留等去掉，作为晶圆再生的原料，使他们能够重新具备半导体行业精密性的使用要求。

随着晶圆再生市场规模的急剧扩张，相应的晶圆再生导致的清洗废水规模也日趋庞大，清洗挡片、控片过程中氢氟酸、双氧水、硝酸、氟化铵的大量使用产生了含氟废水，其中浸泡阶段的含氟废水中氟化物含量高达5％～8％，一般直接作为危废委外处理。而清洗阶段产生的含氟清洗废水，其废水产生量大、污染种类多，水质成分复杂，处理难度较大，含氟清洗废水中氟化物含量通常达到40～50mg/L。目前，半导体企业一般将含氟清洗废水简单物化处理后，直接排入城市污水处理厂再次处理，故增加了污水处理厂处理负荷，同时水洗行业也面临水资源缺乏、废水处理等难题。现阶段半导体行业中针对含氟清洗废水处理工艺有化学沉淀法、混凝沉淀法、吸附法、反渗透法、离子交换法等，或单一使用或组合使用，大多都出现了出水水质不稳定，药剂使用量过多，或者存在二次污染等问题，出水氟化物含量尚能满足《污水综合排放标准》(GB8978-1996)一级标准氟化物含量≤10mg/L的要求。但针对部分环境敏感地区要求，污水资源再利用考虑，半导体企业急需将含氟清洗废水进行深度处理，以达到晶圆再生所需超纯水水源的水质要求，出水氟化物含量要求≤1mg/L)。

如何处理含氟清洗废水，使出水氟化物含量达到排放标准，同时降低企业和社会的运行成本是目前该领域里研究的重点课题。

实用新型内容

针对含氟清洗废水处理，本实用新型所要解决的技术问题是提供一种处理含氟清洗废水的污水处理池，可以高效处理含氟清洗废水，降低排水中的氟化物含量。

为解决上述技术问题，本实用新型采用如下技术方案：一种处理含氟清洗废水的污水处理池，其特征在于：包括格栅池、集水池、调节水池、pH调节池、除氟反应池一、除氟反应池二、混凝反应池、助凝反应池、澄清池、中间水池、石英砂过滤池、活性炭过滤池、清水池，

所述格栅池中设有人工格栅，格栅池与集水池通过过流孔相连接；

所述集水池与调节水池通过过流孔相连接；

所述调节水池的底部安装有潜水排污泵，所述调节水池与pH调节池通过泵送管道相连通，所述pH调节池用于使含氟清洗废水与稀硫酸混合以调节含氟清洗废水pH值；

所述pH调节池与除氟反应池一通过过水孔相连接，所述除氟反应池一用于使含氟清洗废水与氯化钙药剂充分混合，使污水中氟化物形成氟化钙的固体沉淀物；

所述除氟反应池一与除氟反应池二通过过水孔相连接，所述除氟反应池二用于投加氢氧化钙使在除氟反应池一中含氟清洗废水中氟化物与氯化钙形成的含氟固体沉淀物得以吸附在氢氧化钙表面并沉淀；

所述除氟反应池二与混凝反应池通过过水孔相连接，所述混凝反应池用于投加絮凝剂，使含氟固体沉淀物加快絮凝；